过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。
可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。
过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。
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任何的东西都有其使用的寿命，可控硅也不例外，可控硅模块使用时间长了，它的温度就会升高，如果温度过高就容易损坏，并且降低使用寿命，这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法：
1 可控硅模块环境温度的测定：在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计，温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高，温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响，环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算：式中：Δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定：被测可控硅模块温升的测定，通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行，也可单独进行，被测减速机在符合规定时，读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
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可控硅模块规格的选择方法：考虑到可控硅产品一般为非正弦电流，存在导通角问题，负载电流存在一些波动和不稳定因素，晶闸管芯片抗电流冲击能力差，在选择模块电流规格时必须留出一定的裕度。
推荐选择方法可按照以下公式计算：I＞K×I负载×U∕U实际
K ：安全系数，阻性负载K= 1.5，感性负载K= 2；
I负载：负载流过的强大电流； U实际：负载上的小电压；
U强大 模块能输出的强大电压；（三相整流模块为输入电压的1.35倍，单相整流模块为输入电压的0.9倍，其余规格均为1.0倍）；
I：需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。
断一个可控硅元件是否完好，工程师需要从四个方面进行检查，首先是判断该元件的三个PN结应完好，其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通，第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通，第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件，才是符合设计使用要求的。
想要看一个可控硅元件是否符合以上要求，其实非常简单，只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压)，此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 淄博正高电气有限公司团队从用户需求出发。
可控硅模块主要优点如下：
（1）采用进口方形可控硅支撑板，降低了可控硅模块的电压，功耗低，效率高，节能效果好。
（2）采用进口插入元件，保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。
（3）（DCB）陶瓷铜板采用独特的处理和特殊的焊接工艺，保证了晶闸管组件的焊接层无空腔，导热性好。
（4）导热绝缘包装材料具有优异的隔热防潮性能。
（5）触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离，导热基板不带电，介电强度≥2500V，保证安全。
（6）通过输入0-10V直流控制信号，可以平滑地调节主电路的输出电压。
（7）可采用手动控制、仪表控制或微机控制。
（8）适用于电阻和电感负载。 不断开发新的产品，并建立了完善的服务体系。聊城可控硅模块
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满足可控硅模块工作的必要条件：
（1）+12V直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。
①可控硅模块输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。
②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。
（2）可控硅模块控制信号：0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。
（3）可控硅模块供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接可控硅模块的输入端子；负载为用电器，接可控硅模块的输出端子。 重庆快恢复可控硅模块品牌
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