东莞XBM5254赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

    多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。 4-7串锂电池保护 XBM5774 级联功能/集成均衡/NTC/Sense/SSOP24。东莞XBM5254赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

    多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。 无锡2e1EAB赛芯厂家2串 内置均衡MOS,带船运/SenseXBM325X.

锂电池电量计芯片介绍定义与原理锂电池电量计芯片是一种用于监测和计算锂电池电量的集成电路。其原理通常是通过测量一个特定电阻两端的电压，将电压除以该电阻的阻值得到即时电流值，芯片内集成的取样电阻在流过不同电流时会产生不同压差，芯片对这个电压和时间进行积分，从而得到用户使用时的正确电量，常采用库仑计数法实现这一功能\应用场景随着各类智能移动终端的普及，电量计芯片的应用越发***，除了常见的手机、充电宝、无线耳机充电盒等设备，还包括电动汽车、储能系统等领域。例如，手机需要准确显示电池电量，电动汽车需要精确估算续航里程，这些都离不开电量计芯片。市场趋势目前电子产品往小型化、智能化发展，电量计量功能已被多种协议芯片、电源管理芯片所集成，很多产品出于成本及集成度考虑采用协议芯片中集成的电量计功能进行电量显示。但**的电量计芯片测量效果往往更好

    在当今以电子设备为主导的时代，锂电池作为一种**、轻便的能源存储装置，被广泛应用于手机、笔记本电脑、电动汽车等众多领域。而在锂电池的安全运行中，锂电池保护IC起着至关重要的作用。锂电池保护IC，即锂电池保护集成电路，是专门为保护锂电池而设计的一种芯片。它的主要作用是监测锂电池的工作状态，并在出现异常情况时及时采取措施，以防止锂电池发生过充、过放、过流和短路等危险情况。首先，锂电池保护IC可以防止过充电。当锂电池在充电过程中，电压会逐渐升高。如果充电电压过高，可能会导致锂电池内部发生化学反应，甚至引发等危险情况。锂电池保护IC会实时监测锂电池的充电电压，一旦发现电压超过设定的安全值，就会立即切断充电电路，从而避免过充电的发生。其次，保护IC能够防止过放电。当锂电池在放电过程中，电压会逐渐降低。如果放电电压过低，可能会导致锂电池内部的电极材料受损，影响锂电池的使用寿命。锂电池保护IC会监测锂电池的放电电压，当电压低于设定的安全值时，就会切断放电电路，防止过放电的发生。此外，锂电池保护IC还可以防止过流和短路。在使用锂电池的过程中，如果出现短路或过大的电流，可能会导致锂电池发热、起火甚至。XC3098(磷酸铁锂充电芯片）.

XBM3214 用于2串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23 - 6封装 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点多节锂电保护产品详细介绍。南京XBM3212DGB赛芯原厂

适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。东莞XBM5254赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。东莞XBM5254赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保