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    多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。 节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30 开漏。上海XBM5254赛芯现货

    电池保护IC的广泛应用领域消费电子领域在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，电池保护IC发挥着至关重要的作用。以智能手机为例，每天频繁的充电、放电操作，如果没有电池保护IC的守护，电池很容易因过充、过放而损坏，影响手机的续航和使用寿命。而有了电池保护IC，用户可以放心地使用手机，不用担心电池安全问题。新能源汽车领域新能源汽车的动力电池组由多个电池单元组成，对电池保护的要求更为严格。电池保护IC不仅要对每个电池单元进行过充、过放、过流保护，还要对整个电池组进行均衡管理，确保各个电池单元的电量保持一致，避免因个别电池单元性能差异导致整个电池组性能下降。这对于提升新能源汽车的续航里程、安全性和可靠性具有重要意义。电池保护IC凭借其独特的工作原理和优势，在众多领域中发挥着不可或缺的作用。深圳市芯纳科技技术有限公司，以其在电子技术领域的积累，若未来投身电池保护IC领域，有望凭借专业的技术团队和创新精神，为电池保护IC的发展注入新的活力，为保障电池安全、推动电子设备行业的发展贡献力量。随着科技的不断进步，电池保护IC的性能将不断提升，为我们的生活带来更多的便利和安全。南京6096J9赛芯原厂移动电源soc芯片DS5136B+MPP无线充 （QI2.0）22.5W 单串移动电源+无线充.

移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍、35W以内、XBM2138QFA  2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能、XBM2138QFA

点思 电池均衡IC介绍定义及作用电池均衡IC是电池管理系统中的关键组件，主要用于确保电池组中各个单体电池之间的电压、容量等参数保持一致。在锂电池串联使用过程中，由于电池个体差异、使用环境不同等因素，会导致单体电池的电压和容量出现不一致的情况，这不仅会影响电池组的整体性能，还可能缩短电池的使用寿命。电池均衡IC通过对电池进行均衡充电或放电，使各个单体电池的状态趋于一致，从而延长电池组的使用寿命并提升其性能\电池均衡方法负载消耗型均衡在每节电池上并联一个电阻，串联一个开关做。当某节电池电压过高时，打开开关，充电电流通过电阻分流，使电压高的电池充电电流小，电压低的电池充电电流大，从而实现电池电压的均衡。但这种方式只能适用于小容量电池。适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。

XBM2138QFA    两串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA    2串锂保集成MOS     内置均衡   ：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。东莞DS6066赛芯方案公司

锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。上海XBM5254赛芯现货

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。上海XBM5254赛芯现货