电源管理ICXB6156G

深圳市点思半导体有限公司专注于智能电源控制技术，主要面向智能快充，储能和工业电源领域，提供高性能数模混合芯片产品。公司成立于2023年，总部设立在深圳，同时在成都设有研发中心。骨干研发团队来自国内外前列半导体公司，拥有多位海归大厂技术骨干，都拥有着10年以上的芯片开发经验，拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC，帮助客户实现产品升级，受到客户的高度认可。点思半导体秉承着为客户提供质量产品的理念，立志成为国内前列的数模混合芯片设计公司。从业20年的市场总监带领团队分析市场需求和发展趋势,为公司产品研发指出方向。芯纳电池电源管理芯片,采用多端口集成设计。电源管理ICXB6156G

   CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片，输入电压范围，能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管，不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置，恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路，可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时，CN3125自动进入低功耗的睡眠模式，此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。其他功能包括芯片使能输入端，电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。XB7608AR电源管理IC厂家集成的 KEY 管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。

磷酸铁锂电池的充放电反应是在LiFePO4和FePO4两相之间进行。在充电过程中，LiFePO4逐渐脱离出锂离子形成FePO4，在放电过程中，锂离子嵌入FePO4形成LiFePO4。电池充电时，锂离子从磷酸铁锂晶体迁移到晶体表面，在电场力的作用下，进入电解液，然后穿过隔膜，再经电解液迁移到石墨晶体的表面，而后嵌入石墨晶格中。与此同时，电子经导电体流向正极的铝箔集电极，经极耳、电池正极柱、外电路、负极极柱、负极极耳流向电池负极的铜箔集流体，再经导电体流到石墨负极，使负极的电荷达至平衡。锂离子从磷酸铁锂脱嵌后，磷酸铁锂转化成磷酸铁。电池放电时，锂离子从石墨晶体中脱嵌出来，进入电解液，然后穿过隔膜，经电解液迁移到磷酸铁锂晶体的表面，然后重新嵌入到磷酸铁锂的晶格内。与此同时，电子经导电体流向负极的铜箔集电极，经极耳、电池负极柱、外电路、正极极柱、正极极耳流向电池正极的铝箔集流体，再经导电体流到磷酸铁锂正极，使正极的电荷达至平衡。锂离子嵌入到磷酸铁晶体后，磷酸铁转化为磷酸铁锂。

芯纳科技xinnasemi提供高质量的锂电池保护IC和二合一锂电保护IC,保障电池的安全和稳定性。

代理XYSEMI/赛芯微型号有：

XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF等 变更连接在 CNSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以配置应用方案为 2-6串电池的充电管理。

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。集成 i2C 功能，外部芯片可直接读取当前芯片的工作状态。电源管理ICXB6156G

在放电过程中，实时监测放电通路的输出电压、负载电流和系统温度。电源管理ICXB6156G

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