珠海医疗电子芯片润石芯片原厂技术支持

    国产汽车电子元器件通过AEC-Q100Grade1认证：润石运算放大器RS722P/RS724/RS721P、电平转换RS8T245、逻辑芯片RS1G08通过车用IC可靠度AEC-Q100Grade1认证。上述型号通过了环境应力加速验证、寿命加速模拟验证、封装验证、芯片制造可靠性验证、电性验证、失效筛选验证等系列车规级认证测试。此次通过车规级的模拟芯片RS722P/RS724/RS721P/RS1G08/RS8T245,在生产制造质量体系上符合IATF16949标准,产品通过AEC-Q100Grade1标准认证,且达到MSL1湿敏等级,并可提供全套交付件与DPA报告；适用于汽车电子的动力域、车身域、座舱域,并能P2P兼容市场主流欧美车规级芯片。汽车电子对模拟芯片等电子元器件可靠性要求极高；润石采用与国际头部车规级芯片同等水准的材料、制程、工艺,选取拥有IATF16949资质、晶圆制程通过AEC-Q100认证,且有实际车规量产经验的晶圆厂,国际Tier1车规级芯片量产经验的封测厂如日月新、通富微电合作；开发并导入符合AEC-Q100Grade1车规级产品,并由单独第三方实验室做车规AEC-Q100认证。2023年润石科技将为汽车电子市场提供更多高性能车规芯片。 电动汽车电动汽车减速器汽车电子国产替换。珠海医疗电子芯片润石芯片原厂技术支持

    浅谈电平匹配问题：很多电子单元（或芯片）的电平电压是各自不同的,造成彼此之间的电平信号无法直通,所以也就无法协议信号指令。而在逻辑电路中,却经常需要用到电平匹配。电平匹配是指在逻辑电路中,前后两级输入/输出的电平相同。即前级输出高电平与后级要求输入高电平的电压差数不超过。电平匹配有什么作用呢？--电平匹配的前后级电路可用导线直连,而无需增加电平转换电路,节省空间和成本。常见逻辑电路的电平,有CMOS电平和TTL电平等,要在CMOS和TTL之间进行通讯,须在其间置入电平转换电路,或使用电平转换芯片,否则可能会损坏单片机等芯片。TTL电平信号规定为：+5V等价于逻辑‘1’，0V等价于逻辑‘0’。CMOS逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。TTL电源电压5V，CMOS电源电压一般为12V。TTL的5V电平无法触发CMOS电路，CMOS的12V电平会损坏TTL电路，因此两者不能直接互通。江苏润石RS0108替换TI-TXS0108；Nexperia-NXS0108汽车电子.电平转换,运放,比较器,模拟开关,电压基准源。 惠州汽车动力DC-DC转换器芯片润石芯片方案支持电动汽车DC/DC转换器汽车电子国产替换。

    介绍一种国产电平转换芯片替代方案:常见接口和RS020x/RSxTx45系列实现.RSxTx45系列器件为江苏润石的方向控制型电平转换器,适用于不同接口的电平转换器。JTAG联合测试行动组:JTAG开发了同名的硬件接口,用于对嵌入式设计进行调测,验证和编程。JTAG在运行过程中通常使用五个线路：测试时钟(TCK)提供数据输入和输出的时序。测试模式选择(TMS)允许用户选择要测试的内容。测试数据输入(TDI)将须测试数据输入到被测器件,产生的结果在测试数据(TDO)上输出。测试复位(TEST)作为一个可选信号,能将JTAG复位到一次已知的良好状态。JTAG与SPI类似,因此电压转换器的配置也类似。主要区别在于JTAG有四条线路在一个方向上运行,而另一条线路在相反方向上运行。要在低电压FPGA或处理器与JTAG探头之间启用JTAG接口,建议使用RS0204。或者对于五线制JTAG接口,可使用一个用于TCK,TMS,TDI和TRST信号线路的RS4T245和一个用于在另一个方向上运行的TDO线路的RS1T45。JTAG接口(JointTestActionGroup,联合测试工作组),是一种国际标准测试协议,主要用于芯片内部测试。标准的JTAG接口是4线,分为模式选择,时钟,数据输入和数据输出线。江苏润石RS2T45替换TI-SN74xxxx2T45；Nexperia-74xxx2T45。

    汽车电子动力总成-电动助力转向（EPS）：汽车电动助力转向系统，是利用电动机提供的动力，来帮助驾驶员进行转向操作。该系统主要由三大部分构成--①信号传感装置。②电子控制装置。③转向助力机构。电机只在需要助力时工作，驾驶员在操纵转向盘时，扭矩转角传感器根据输入扭矩/转向角数据产生相应的电压信号，车速传感器检测采集到车速信号，控制单元根据电压和车速信号，对控制器发出指令，控制电机动作，从而产生所需要的转向助力。转向助力电机用蓄电池供电，并不会直接消耗发动机的动力。国产润石汽车电子动力总成-电动助力转向（EPS）方案：运算放大器RS721/2/4P-Q1、RS8551-Q1,RS8412/4-Q1比较器RS331-Q1,RS393-Q1,LM2901-Q1,LM2903-Q1电压基准源LM2903-Q1,RS431-Q1电平转换芯片RS0108,RS0204逻辑芯片RS4G00,RS4G08,RS1G08,RS1G17,RS1G125。汽车电子.电平转换,运放,比较器,电压基准源。 扫地机器人解决方案国产芯片替换。

    IEEE国际电子元件会议在国际半导体业界的地位：IEEE国际电子元件会议，是每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，报告半导体、电子元件技术；设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。将世界范围的工业界与学界的管理者、工程师和科学家汇聚一堂，内容包括讨论纳米级CMOS晶体管技术、显示、传感器、先进内存、微机电元件、新颖量子、纳米级规模元件、光电工程、粒子物理学现象、高速元件、功率与能量收集元件、制程技术、元件模型化与模拟；化合物、硅、有机半导体、新兴材料元件。IEDM始于1955年，已有60多年历史，是微电子器件领域的顶流会议。会议主要报道国际半导体和电子器件的研究进展，是高校、研发机构和行业报告其技术发展的重要平台。每年英特尔、三星、台积电、国际商业机器公司（IBM）等国际半导体公司都利用这个会议发布研究成果，在业界具有“风向标”作用，在国际半导体技术领域具有影响力的学术地位和大范围的影响力。 TWS耳机模拟开关芯片国产替换方案。上海红外白板芯片润石芯片新技术推荐

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    汽车电子之超高压晶体管--提高电动车续航能力：美国布法罗大学科研团队开发的功率MOSFET晶体管，可用小体积处理难以置信的高电压，可提升汽车电力电子效能。金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，在汽车电子中尤为常见。功率MOSFET是一种专门处理大功率负载的开关，年约500亿个出货量。功率MOSFET可快速开关大功率的电子系统，是汽车电子的重要元件。布法罗大学团队称已研发出薄如纸的氧化镓MOSFET晶体管，可处理极高电压。晶体管在实验室中能处理超8000伏电压。研究人员称这一数字明显高于碳化硅或氮化镓晶体管。实验中氧化镓的带隙数字为。带隙是衡量一个电子进入导电状态所需的能量，带隙越宽效果越好。硅是电力电子器件中常见的材料，带隙。碳化硅和氮化镓带隙分别为。因此氧化镓。布法罗团队希望这种功率MOSFET晶体管能够为汽车电子、机车、微电网技术，以及更小更高效的电力电子功率器件作出贡献。如果其能走出实验室，走进汽车电子应用场景，可能是汽车电子电力的又一进步。 珠海医疗电子芯片润石芯片原厂技术支持