肇庆半导体二极管尺寸

半导体二极管的参数介绍如下：1、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流， 其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。3、动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即：rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容，在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态，其极间电容产生的影响效果也不同。二极管的反向电压应小于其击穿电压，以防止击穿现象的发生。肇庆半导体二极管尺寸

二极管特性及参数：1、二极管伏安特性，导通后分电压值约为 0.7 V（硅管）或0.3V（锗管）（LED 约为 1-2 V，电流 5-20 mA）。反向不导通，但如果达到反向击穿电压，那将导通（超过反向较大电压可能烧坏）。正向电压很小时不导通（0.5 V 以上时才导通）。2、主要参数：较大整流电流 I_FIF： 表示长期运行允许的较大正向平均电流，超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR：允许施加的较大反向电压，超出可能击穿。（U_RUR 通常为击穿电压的一半）。反向电流 I_RIR： 未击穿时的反向电流，越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM： 上线截止频率。因结电容作用，超出可能不能很好体现的单向导电性。肇庆半导体二极管尺寸二极管作为基本器件，对电子技术的发展和应用起着重要作用。

二极管（Diode）具有单向导电性，即只允许电流沿着一个方向流动，而阻挡反向电流流动。二极管是电子电路中较基本的元件之一，普遍应用于各种电子设备中。单向导通性的实验说明：当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时，稳压二极管没有击穿而处于反向截止区，此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR（reverse leakage current），这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态，因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的，没有达到输出稳定电压的目的，如下图所示：当输入电源电压Vi比稳压二极管稳定电压ZT高时，稳压二极管被反向电压击穿，此时回路电流急剧增加。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿，另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。二极管在电子领域的应用极为普遍，是现代电子技术中不可或缺的关键器件之一。

二极管是由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性，半导体二极管的主要是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，就构成二极管的伏安特性曲线，如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性）。二极管的价格相对较低，适合大规模生产和应用。肇庆有机发光二极管厂家

二极管是一种电子器件，具有正向导、反向截止的特性。肇庆半导体二极管尺寸

晶体二极管分类如下：1、台面型二极管，PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。2、合金扩散型二极管，它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。肇庆半导体二极管尺寸