红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。2．检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。3．检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。4．估测关断增益βoff进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′。正高电气始终坚持以人为本，恪守质量为金，同建雄绩伟业。连云港行吊三相交流调压模块
压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别？可控硅模块属于一种使用模块封装形式，拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，这种可控硅模块的体积非常的小，结构也十分的紧凑，对于维修与安装都有很大的作用，可控硅模块的类型非常的多，比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等，很多人不是很清楚两者之间的差异，下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲，焊接式可控硅模块可以做到160A电流，同时压接式模块的电流就能够达到1200A，这就是讲低于160A的模块，不只是有焊接式的，同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲，焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好，压接式的属于一体成型，技术十分的标准，焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹，但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知，压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的，有不少的公司都会使用压接式可控硅模块，这其中的原因可能使由于其外形十分的美观，除此之外从价格方面来讲，焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。我公司的电力半导体器件有：全系列功率模块(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。枣庄快恢复晶闸管模块批发正高电气以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。
按规定应采用风冷的模块而采用自冷时，则电流的额定值应降低到原有值的30～40[%]，反之如果改为采用水冷时，则电流的额定值可以增大30～40[%]。为了帮助用户合理选择散热器和风机，我们确定了不同型号模块在其额定电流工作状态下，环境温度为40℃时所需的散热器长度、风机规格、数量及散热器基础参数等，请参考说明书。另外，在表内出具了每个型号的模块在峰值压降、比较大标称电流和阻性负载条件下的功耗值，以便于用户自己确定散热器尺寸时做参考。在实际应用中，应注意以下几点：（1）轴流风机风速应≥6m/s。（2）若模块达不到满负荷工作，可酌减散热器长度。（3）在设备开机前，应检查模块所有螺钉是否牢固，若有松动，应拧紧螺钉，以使模块底板和散热器表面以及模块电极和接线端子之间都能够紧密接触，达到比较好散热效果。（4）采用自然冷却形式时，必须保证散热器周围的空气能够自然对流。（5）因水冷散热效果好，有水冷条件的，应优先水冷散热形式。
晶闸管模块电流规格的选取
1、根据负载性质及负载额定电流进行选取
（1）电阻负载的较大电流应是负载额定电流的2倍。
（2）感性负载的较大电流应为额定负载电流的3倍。
（3）负载电流变化较大时，电流倍数适当增大。
（4）在运行过程中，负载的实际工作电流不应超过模块的较大电流。
2、散热器风机的选用
模块正常工作时必须配备散热器和风机，推荐采用厂家配套的散热器和风机。如果用户是自己提供的，则使用以下原则来选择：
（1）模块正常工作时，必须能保证冷却底板温度不超过75℃；
（2）当模块负载较轻时，可减小散热器的尺寸或采用自然冷却；
（3） 有水冷条件的，应优先水冷散热 。
3、使用要求
（1）工作场所环境温度范围：-25℃～+45℃；
（2）模块周围需要干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。
（3）模块电极上的铜线严禁不用端子直接压接，以免接触不良引起附加发热。
（4）应经常测量固体继电器导热衬底侧或固态继电器附近散热器的表面温度，测点温度应小于80℃。 正高电气锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。
500Vdc）比较大容抗10pf使用温度范围-30℃~+75℃电网频率47-63Hz㈥不同电流等级的固体继电器的外形㈦LSR的输入驱动电路在逻辑电路驱动时应尽可能采用低电平输出进行驱动，以保证有足够的带负载能力和尽可能低的零电平。下图为正确的灌电流驱动的电路图（一般适合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常与单相或三相LSR移相触发器配合使用。A3型（90-430Vac）为交流控制交流型，在90-430Vac极宽的范围内均能可靠触发继电器导通，且输入与输出没有相位要求：㈧LSR过压的保护：除LSR内部本身有RC吸收回路保护外，还可以采取并联金属氧化物压敏电阻（MOV），MOV面积大小决定吸收功率，MOV的厚度决定保护电压值。一般220V系列LSR可选取500V-600V的压敏电阻，380V系列SSR可选取800V-900V的压敏电阻，480V系列SSR可选取1000V-1100V的压敏电阻。㈨LSR的功率扩展：本公司生产的2A、8A无RC吸收回路的LSR可用于任何大电流等级的可控硅触发，功率扩展后仍具有过零特性或随机特性。功率扩展LSR的型号为：LSR-3P02E（D3/D2/D1/A3），LSR-3P08E（D3/D2/D1/A3）。正高电气产品质量好，收到广大业主一致好评。济南稳流模块配件
正高电气运用高科技，不断创新为企业经营发展的宗旨。连云港行吊三相交流调压模块
3）换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的，所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后，出现换相振荡过电压，它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压，其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高，换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因，可以采取不同的方法，如减少过电压源，并使过电压幅值衰减；过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径；采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。（4）阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率，因此常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路比较好选用无感电容，接线应尽量短。。5）由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。连云港行吊三相交流调压模块
淄博正高电气有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在山东省等地区的电子元器件中汇聚了大量的人脉以及**，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是比较好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同淄博正高电气供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！
