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晶闸管模块基本参数
  • 品牌
  • IXYS 艾赛斯,SEMIKRON赛米控,英飞凌
  • 型号
  • 全系列
晶闸管模块企业商机

⑿脉冲输出:六路带调制的触发脉冲隔离输出;脉冲宽度:2个20°宽脉冲列、间隔60°;脉冲调制频率10KHZ;各相脉冲不对称度:≤°;脉冲电流峰值:>800mA⒀PID动态响应时间≤10ms,超调量≤1%。⒁有回零保护、软起动、急停功能。⒂比较大外形尺寸:235㎜×180㎜×50㎜。三相晶闸管触发板三相晶闸管触发板应用技术编辑◆独有三相不平衡自动调整功能,有效提高电能利用效率。◆先进的数字控制技术,改善了电网功率因数,可以有效节省用电量。◆具有移相触发与过零触发双重工作模式,拨动选择开关,即可轻松实现转换。◆多种控制信号输入:DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、开关量触点。◆适用于多种类型负载:恒阻性负载、变阻性负载、感性负载(变压器一次侧)。◆具有完善的自我检测,齐全的故障保护功能,确保安全稳定运行。◆输入、输出端口均采用光电隔离技术,抗干扰能力强,安全性能高。◆通讯功能强大、标准ModbusRTU通信协议,方便联机进行网络控制。◆内置报警蜂鸣器,无须任何额外接线就能轻松实现音响报警。晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。福建进口晶闸管模块现价

α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管(英语:Thyristor),简称晶闸管,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。**早出现与主要的一种是硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR),中国大陆通常简称可控硅,又称半导体控制整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件,为***代半导体电力电子器件的**。晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,***用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项**重大的突破,标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要,促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展,其中一个分支即是以集成电路为**的微电子器件,特点为小功率、集成化,作为信息的检出、传送和处理的工具;而另一类就是电力电子器件,特点为大功率、快速化。1955年。内蒙古国产晶闸管模块批发价它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。

认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第1款晶闸管产品,并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构,形成三个PN结,分别称:阳极,阴极和控制极。图1晶闸管的结构晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路。晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。工作过程加正向电压且门极有触发电流的情况下晶闸管才导通,这是晶闸管的闸流特性,即可控特性。若晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。晶闸管的种类1.双向晶闸管双向晶闸管有极外G,其他两个极称为主电极Tl和T2。结构是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件。双向晶闸管不象普通晶闸管那样,必须在阳极和阴极之间加上正向电压,管子才能导通。它无所谓阳极和阴极,不管触发信号的极性如何,双向晶闸管都能被触发导通。这个特点是普通晶闸管所没有的。2.快速晶闸管人们在普通晶闸管的制造工艺和结构上采取了一些改进措施。

人们在制造工艺和结构上采取了一些改进措施,做出了能适应于高频应用的晶闸管,我们将它称为快速晶闸管。它具有以下几个特点。一、关断时间(toff)短导通的晶闸管,当切断正向电流时。并不能马上“关断”,这时如立即加上正向电压,它还会继续导通。从切断正向电流直到控制极恢复控制能力需要的时间,叫做关断时间。用t0仟表示。晶闸管的关断过程,实际上是储存载流子的消失过程。为了加速这种消失过程,制造快速晶闸管时采用了掺金工艺,把金掺到硅中减少基区少数载流子的寿命。硅中掺金量越多,t0仟越小,但掺金量过多会影响元件的其它性能。二、导通速度快.能耐较高的电流上升率(dI/dt)控制极触发导通的晶闸管。总是在靠近控制极的阴极区域首先导通,然后逐渐向外扩展,直到整个面积导通。大面积的晶闸管需要50~100微秒以上才能***积导通。初始导通面积小时,必须限制初始电流的上升速度,否则将发生局部过热现象,影响元件的性能,甚至烧坏。高频工作时这种现象更为严重。为此,仿造了集成电路的方法,在晶闸管同一硅片上做出一个放大触发信号用的小晶闸管。控制极触发小晶闸管后,小晶闸管的初始导通电流将横向经过硅片流向主晶闸管阴极,触发主晶闸管。根据晶闸管的工作特性,常见的应用就是现场用的不间断应急灯。

采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率,因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件,为防止出现振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容,接线应尽量短。(5)吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,抑制过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关,温度越低耐压越高;另外是硒堆具有自恢复特性,能多次使用,当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖,又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻,其结构为两个电极,电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶,结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态,只有很小的漏电流,其值小于100μA。当加上电压时。晶闸管的主要参数有反向最大电压,是指门极开路时,允许加在阳极、阴极之间的比较大反向电压。内蒙古国产晶闸管模块批发价

晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。福建进口晶闸管模块现价

1)断态重复峰值电压UDRM在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下,可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压,其数值比正向转折电压小100V。(2)反向重复峰值电压URRM在控制极断路时,可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压,此电压数值规定比反向击穿电压小100V。通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏,因而在选用的时候,额定电压一个应该为正常工作峰值电压的2~3倍,作为安全系数。(3)额定通态平均电流(额定正向平均电流)IT在环境温度不大于40oC和标准散热即全导通的条件下,晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平均值,称为额定通态平均电流IT,简称额定电流。(4)维持电流IH在规定的环境温度和控制极断路的条件下,维持元件继续导通的**小电流称为维持电流IH。一般为几十毫安~一百多毫安,其数值与元件的温度成反比,在120摄氏度时维持电流约为25摄氏度时的一半。当晶闸管的正向电流小于这个电流时,晶闸管将自动关断。晶闸管的选用/晶闸管编辑(1)选择晶闸管的类型:晶闸管有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。福建进口晶闸管模块现价

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