无锡半导体二极管

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。硅二极管和锗二极管的工作温度范围和耐压能力不同，需要根据具体要求选择。无锡半导体二极管

江崎二极管，阻尼二极管又称隧道二极管、穿隧效应二极管、穿隧二极管、透纳二极管，英文名称为Tunnel Diode，它是一种可以高速切换的半导体二极管，其切换速度可到达微波频率的范围，其原理是利用量子穿隧效应。它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。江崎二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。广州晶体二极管厂家二极管具有快速开关速度的优势，适用于高频应用。

可以通过手动调节晶体表面上的导线，以获得较佳的信号。这个较为麻烦的设备在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代，高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜，晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期，美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器，主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。

二极管保护：二极管可用于保护电路免受电压峰值和电磁干扰等影响。在电路中加入二极管后，可以有效地限制电压，保护电路不受损坏。稳压：二极管还可以作为稳压器使用，它可以在电路中提供一个固定的电压，使电路的工作更加稳定。二极管的实际案例解说：整流器：二极管被普遍应用于整流电路中，如桥式整流电路、半波整流电路和全波整流电路等。稳压器：二极管稳压器是一种常见的稳压电路，它可以提供一个恒定的电压输出。光电二极管：光电二极管是一种具有光电转换功能的二极管，可以将光能转换为电能，普遍应用于光电传感器、光电开关、光电显示等领域。二极管的快速开关特性可用于电子开关、振荡电路等。

二极管是由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性，半导体二极管的主要是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，就构成二极管的伏安特性曲线，如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性）。二极管还可用于光电转换，将光信号转换为电信号。广州晶体二极管厂家

二极管在逆向电压下要避免击穿，以防损坏器件。无锡半导体二极管

在1882年的时候，他们突然想了一个办法，将一片铜片放在灯丝和玻璃之间，以为能阻止灯丝的老化。很遗憾，这个办法不行。他们接下来在这个铜片上施加一定的电压希望能够改善灯丝的寿命，可是这样做依然无济于事。虽然，提高灯丝寿命的实验失败了，但是在这个过程中，他们发现了匪夷所思的事情那就是灯丝和铜片之间会有电流流过，而且加反向电压的时候没有电流流过！可是，铜片和灯丝之间没有任何接触，二者之间是真空！后来，人们把这种效应叫爱迪生效应。无锡半导体二极管