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二极管基本参数
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  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

变容二极管:变容二极管英文名称为Varactor Diodes,又称可变电抗二极管,是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其较大值为几十pF到几百pF,较大电容与较小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的外形与普通二极管相同,原理图的封装在K极会有两根竖线的标记。二极管具有低功耗特性,可节省能源。深圳稳压二极管市价

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二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。佛山有机发光二极管哪家好反向偏置时,PN结的耗尽区增大,导致电流截止。

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二极管是较常用的电子元件之一,它较大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生,既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢,其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的,反向电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路,这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础。

瞬态抑制二极管(TVS管),瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor,简称TVS,它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压钳位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元 器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。普遍应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表电路中。瞬态电压抑制二极管有单向和双向两种,单向的引脚有正负极方向性,使用方法和稳压管相同,正极接入低电位,负极接入高电位,反向接入电路中。当二极管的正极连接到N区,负极连接到P区时,电流无法流过二极管,实现阻断。

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在二极管被发现和使用的过程中,出现了两大类二极管,他们分别是:真空管二极管和半导体二极管,真空二极管的发明专业技术是我们熟悉的科学家爱迪生申请的,他发现单向导电的这个过程也是一个偶然发现,当时他主要在做关于灯泡灯丝延长寿命的实验。说到爱迪生大家应该都很清楚了,他在1879年的时候发明了电灯泡,这是一个伟大的发明,但是爱迪生也有一个小小的烦恼,就是使用一段时间之后灯泡就会很容易坏掉。这是什么缘故呢?原来是灯丝的材料不耐高温所引起的,为了解决这个问题,艾迪森和他的团队,想了很多办法,但是一直都没有解决。二极管可用于整流、信号检测、保护电路等方面。深圳稳压二极管市价

二极管常用于整流电路,将交流信号转换为直流信号。深圳稳压二极管市价

二极管特性及参数:1、二极管伏安特性,导通后分电压值约为 0.7 V(硅管)或0.3V(锗管)(LED 约为 1-2 V,电流 5-20 mA)。反向不导通,但如果达到反向击穿电压,那将导通(超过反向较大电压可能烧坏)。正向电压很小时不导通(0.5 V 以上时才导通)。2、主要参数:较大整流电流 I_FIF: 表示长期运行允许的较大正向平均电流,超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR:允许施加的较大反向电压,超出可能击穿。(U_RUR 通常为击穿电压的一半)。反向电流 I_RIR: 未击穿时的反向电流,越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM: 上线截止频率。因结电容作用,超出可能不能很好体现的单向导电性。深圳稳压二极管市价

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