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2）对于音频信号而言，由于高频滤波电容C1的容量很小，它对音频信号的容抗很大，相当于开路，所以音频信号也不能被C1旁路到地线。3）对于高频载波信号而言，其频率很高，C1对它的容抗很小而呈通路状态，这样惟有检波电路输出端的高频载波信号被C1旁路到地线，起到高频滤波的作用。如图9-51所示是检波二极管导通后的三种信号电流回路示意图。负载电阻构成直流电流回路，耦合电容取出音频信号。图9-51检波二极管导通后三种信号电流回路示意图4．故障检测方法及电路故障分析对于检波二极管不能用测量直流电压的方法来进行检测，因这这种二极管不工作在直流电压中，所以要采用测量正向和反向电阻的方法来判断检波二极管质量。当检波二极管开路和短路时，都不能完成检波任务，所以收音电路均会出现收音无声故障。5．实用倍压检波电路工作原理分析如图9-52所示是实用倍压检波电路，电路中的C2和VD1、VD2构成二倍压检波电路，在收音机电路中用来将调幅信号转换成音频信号。电路中的C3是检波后的滤波电容。通过这一倍压检波电路得到的音频信号，经耦合电容C5加到音频放大管中。图9-52实用倍压检波电路继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理继电器内部具有线圈的结构。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。甘肃国产二极管模块批发价

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。甘肃国产二极管模块批发价目前，市场上有光伏防反二极管模块与普通二极管模块两种类型可供选择。

外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子。

3）从分流支路电路分析中要明白一点：从级录音放大器输出的信号，如果从VD1支路分流得多，那么流入第二级录音放大器的录音信号就小，反之则大。4）VD1存在导通与截止两种情况，在VD1截止时对录音信号无分流作用，在导通时则对录音信号进行分流。5）在VD1正极上接有电阻R1，它给VD1一个控制电压，显然这个电压控制着VD1导通或截止。所以，R1送来的电压是分析VD1导通、截止的关键所在。分析这个电路大的困难是在VD1导通后，利用了二极管导通后其正向电阻与导通电流之间的关系特性进行电路分析，即二极管的正向电流愈大，其正向电阻愈小，流过VD1的电流愈大，其正极与负极之间的电阻愈小，反之则大。3．控制电路的一般分析方法说明对于控制电路的分析通常要分成多种情况，例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言，控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。1）电路中没有录音信号时，直流控制电压Ui为0，二极管VD1截止，VD1对电路工作无影响，级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。2）当电路中的录音信号较小时，直流控制电压Ui较小，没有大于二极管VD1的导通电压，所以不足以使二极管VD1导通。二极管模块分为：快恢复二极管模块，肖特基二极管模块，整流二极管模块、光伏防反二极管模块等。

其中有一条就是温度高低变化时三极管的静态电流不能改变，即VT1基极电流不能随温度变化而改变，否则就是工作稳定性不好。了解放大器的这一温度特性，对理解VD1构成的温度补偿电路工作原理非常重要。2）三极管VT1有一个与温度相关的不良特性，即温度升高时，三极管VT1基极电流会增大，温度愈高基极电流愈大，反之则小，显然三极管VT1的温度稳定性能不好。由此可知，放大器的温度稳定性能不良是由于三极管温度特性造成的。2．三极管偏置电路分析电路中，三极管VT1工作在放大状态时要给它一定的直流偏置电压，这由偏置电路来完成。电路中的R1、VD1和R2构成分压式偏置电路，为三极管VT1基极提供直流工作电压，基极电压的大小决定了VT1基极电流的大小。如果不考虑温度的影响，而且直流工作电压+V的大小不变，那么VT1基极直流电压是稳定的，则三极管VT1的基极直流电流是不变的，三极管可以稳定工作。在分析二极管VD1工作原理时还要搞清楚一点：VT1是NPN型三极管，其基极直流电压高，则基极电流大；反之则小。3．二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置，对它的工作原理分析思路主要说明下列几点：1）VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连。阻尼二极管多用在高频电压电路中，能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。甘肃国产二极管模块批发价

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向饱和电流。甘肃国产二极管模块批发价

对于常用的硅二极管而言导通后正极与负极之间的电压降为。根据二极管的这一特性，可以很方便地分析由普通二极管构成的简易直流稳压电路工作原理。3只二极管导通之后，每只二极管的管压降是，那么3只串联之后的直流电压降是×3=。3．故障检测方法检测这一电路中的3只二极管为有效的方法是测量二极管上的直流电压，如图9-41所示是测量时接线示意图。如果测量直流电压结果是，说明3只二极管工作正常；如果测量直流电压结果是0V，要测量直流工作电压+V是否正常和电阻R1是否开路，与3只二极管无关，因为3只二极管同时击穿的可能性较小；如果测量直流电压结果大于，检查3只二极管中有一只开路故障。图9-41测量二极管上直流电压接线示意图4．电路故障分析如表9-40所示是这一二极管电路故障分析：表9-40二极管电路故障分析5．电路分析细节说明关于上述二极管简易直流电压稳压电路分析细节说明如下。1）在电路分析中，利用二极管的单向导电性可以知道二极管处于导通状态，但是并不能说明这几只二极管导通后对电路有什么具体作用，所以只利用单向导电特性还不能够正确分析电路工作原理。2）二极管众多的特性中只有导通后管压降基本不变这一特性能够为合理地解释这一电路的作用。甘肃国产二极管模块批发价