纹波电流容差影响电解电容器性能的较重要参数之一是纹波电流。纹波电流对铝电解电容器的影响主要是由于功耗对ESR的影响，使铝电解电容器发热，从而缩短使用寿命。从特性曲线(图2)可以看出，纹波电流对ESR造成的损耗与纹波电流有效值的平方成正比，所以随着纹波电流的增加，小时寿命曲线类似于抛物线函数曲线。降低纹波电流的方法可以采用更大容量的铝电解电容器。毕竟大容量铝电解电容器比小容量铝电解电容器能承受更大的纹波电流。也可以采用几个小容量铝电解电容并联，也可以选择低纹波电流的电路拓扑。一般来说，反激变换器产生的开关电流相对比较大。表1显示了各种开关转换器电路拓扑结构的滤波电容上的DC电流、整流和滤波纹波电流、开关电流和总纹波电流。片式铝电解电容是没有套管的，所以在铝壳的底部印有容量、电压、正负极等相关信息。常州高压电容规格
如何抑制“啸叫”现象：1.降压电源通常有PWM和PFM工作模式。PWM模式下纹波小，在高负载功耗条件下使用。为了避免BUCK在PWM模式下充电电容的开关频率引起的啸叫，有些电源的开关频率会刻意避开20hz~20Khz的开关频率。2.当电源处于轻载模式时，会间歇工作，间歇输出几个脉冲。这种间歇脉冲的频率也可以被人耳听到。因此，从电源或负载的角度来看，PFM工作时间歇脉冲的工作频率应进行优化，以避免啸叫。3.另一种是隐藏状态。在项目初期，系统往往不稳定，负载在正常和低功耗模式之间反复切换，电源也很容易在PWM和PFM模式之间切换。这种切换的时隙也可能引起啸叫，需要软件优化系统的稳定性，避免负载工作模式的异常切换，避免啸叫。无锡片式电容厂家直销电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。在电路图中通常用字母C表示电容元件。
在较低频率下，较大的电容可以提供低电阻接地路径。一旦这些电容达到自谐振频率，它们的电容特性就消失了，它们变成了具有电感特性的元件。这就是并联使用多个电容的主要原因，可以在很宽的频率范围内保持较低的交流阻抗。芯片电源要求电源稳定，但实际电源不稳定，高频低频干扰混杂。实际电容与理想电容大相径庭，具有RLC三重性质。10uf的电容对低频干扰的过滤效果很好，但对于高频干扰，电容是感性的，阻抗太大无法有效滤除，所以组合一个0.1uf的电容滤除高频成分。如果你的设计要求不高，没必要完全遵守这个规则。
陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器，原名高频陶瓷电容器，是指由陶瓷介质制成的电容器，具有低介质损耗，高绝缘电阻，介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路，或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为电介质的电容器，所以又称为铁电陶瓷电容器。这种电容器比电容大，电容随温度非线性变化，损耗大。常用于电子设备中对损耗和电容稳定性要求不高的旁路、耦合或其他电路。电容器外壳、辅助引出端子与正、负极 以及电路板间必须完全隔离。
MLCC(多层陶瓷电容器)是片式多层陶瓷电容器的缩写。它是由印刷电极(内电极)交错叠放的陶瓷介质膜片组成，然后通过一次高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片两端密封金属层(外电极)，从而形成单片结构，也称单片电容器。电容的定义：电容的本质两个相互靠近的导体，中间夹着一层不导电的绝缘介质，构成一个电容器。当在电容器的两个极板之间施加电压时，电容器将存储电荷。电容大小：电容器的电容在数值上等于一块导电板上的电荷量与两块板之间的电压之比。电容器电容的基本单位是法拉(f)。在电路图中，字母C通常用来表示容性元件。有三种方法可以增大电容：使用高介电常数的介质。增加板间面积。减小板间距离。大容量低耐压钽电容的替代产品：高分子聚合物固体铝电解电容器。无锡片式陶瓷电容厂家直销
钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。常州高压电容规格
一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们？根据不同的功率输出或后续电路？通常并联两个电容就够了，但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内，电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内，这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。常州高压电容规格
