深圳硅管二极管尺寸

开关二极管，开关二极管是专门设计制造的一类二极管，用于在电路上“开”、“关”。与普通二极管相比，其由导通转变为截止或由截止变为导通的时间较短。半导体二极管的导通相当于一个闭合开关，截止时等效于开启(断开)，因此二极管可用作开关，常用型号1N4148开关二极管。PN结导通由于半导体二极管具有单向传导的性质，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻非常小，大约是几十到几百欧；而在反向偏压下， PN结的电阻很大，一般硅二极管在10欧姆以上，而锗管也有几十千欧到几百千欧。通过这种特性，二极管可以在电路中对电流进行控制，从而成为一种理想的电子开关。开关二极管也有SMT和THT两种封装方式。二极管还可以用于设计逆变器、振荡器、继电器、光电设备等电子器件。深圳硅管二极管尺寸

交流二极管（DIAC）、突波保护二极管、双向触发二极管，当施加超过规定电压（Break Over电压，VBO）的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另，虽被称为二极管，实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。非线性电阻器，若超过一定电压，电阻就会降低。是保护电路受到突波电压伤害的双向元件。通常由二氧化锌的烧结体颗粒制成，当作非线性电阻使用。虽然一般认为它的作用应是由内部众多金属氧化物颗粒间的肖特基接面二极管效应而产生，但对外并不呈现二极管的特性，因此平常并不列在二极管分类之中。中山稳压二极管价位二极管于PN结的半导体材构成，通过控制电场分布实现流的单向导通。

半导体二极管的非线性电流-电压特性，可以根据选择不同的半导体材料和掺杂不同的杂质从而形成杂质半导体来改变。特性改变后的二极管在使用上除了用做开关的方式之外，还有很多其他的功能，如：用来调节电压（齐纳二极管），限制高电压从而保护电路（雪崩二极管），无线电调谐（变容二极管），产生射频振荡（隧道二极管、耿氏二极管、IMPATT二极管）以及产生光（发光二极管）。半导体二极管中，有利用P型和N型两种半导体接合面的PN结效应，也有利用金属与半导体接合产生的肖特基效应达到整流作用的类型。若是PN结型的二极管，在P型侧就是阳极，N型侧则是阴极。

二极管伏安特性曲线说明：1.反向特性，二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR，见图中OC（OC′）段。2.温度对特性的影响，由于二极管的主要是一个PN结，它的导电性能与温度有关，温度升高时二极管正向特性曲线向左移动，正向压降减小;反向特性曲线向下移动，反向电流增大。3.反向击穿特性，二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示，如图1.11中CD（C′D′）段。二极管常用于整流电路，将交流信号转换为直流信号。

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 （ 崩溃区 ）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。二极管是电子电路中的基础元件，具有单向导电性，常用于整流、开关等电路中。中山稳压二极管价位

高频二极管可以用于射频电路中，具有快速开关特性和低噪声。深圳硅管二极管尺寸

下面对二极管伏安特性曲线加以说明：正向特性，二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图中OA（OA′）段。当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V，如图中AB（A′B′）段。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过较大值，否则将烧坏PN结。深圳硅管二极管尺寸