深圳激光二极管尺寸

静电放电（ESD）二极管，静电放电的英文全称为Electro-Static Discharge，简称ESD，ESD二极管是一种具有两个电极的半导体器件，当加在两极间的电压达到一定值时，在其间产生电场使电子移动而形成电流。当ESD二极管的两只引脚之间加有交变电压时，则其集电极和发射结之间的电容量就会发生变化；如果此时给该二极管加上反向偏置电压或输入一个低电平的信号脉冲，则它的输出端将会出现很大的电流。这就是所谓的“漏极开路”现象（简称“开路”）。二极管在电源电路中作为整流器使用，可以将交流电转换为直流电。深圳激光二极管尺寸

阶跃二极管，阶跃二极管一种特殊的变容管，又称为阶跃恢复二极管或电荷存储二极管,简称阶跃管，英文名称为Step-Recovary Diode，它具有高度非线性的电抗，应用于倍频器时代独有的特点，利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波，可获得高效率的高次倍频，它是微波领域中优良的倍频元件。旋转二极管，旋转二极管主要用于无刷励磁电机，它实际上就是一个整流二极管，在工作的时候跟着发动机一起旋转，所以被称为旋转二极管。旋转二极管的作用就是把励磁机的交流电压整流为直流电压，通过发动机的大轴，把这个直流电压加到发电机的励磁线圈上，然后通过励磁屏的调整来获得一个理想的励磁电流。东莞快恢复二极管在使用二极管时，需注意其正向电压和反向击穿电压的限制，以免损坏器件。

下面对二极管伏安特性曲线加以说明：正向特性，二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图中OA（OA′）段。当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V，如图中AB（A′B′）段。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过较大值，否则将烧坏PN结。

稳压二极管和普通二极管结构区别，稳压二极管和普通二极管在结构上也有所不同。稳压二极管一般由三层不同类型的半导体材料组成，即P型半导体、N型半导体和Intrinsic型半导体。这种特殊结构使得稳压二极管在反向电压超过其工作电压时，能够迅速将反向电流增大，同时保持电压恒定。这种特性使得稳压二极管能够在电路中发挥稳定的电压支撑作用。而普通二极管则只有两层半导体材料，即P型半导体和N型半导体。这种简单结构使得普通二极管在正向电压下能够导通，而在反向电压下则截止。这种结构使得普通二极管在开关电路和整流电路中能够发挥良好的性能。二极管的原理是基于PN结的特性，其中P区富含正电荷，N区富含负电荷。

快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes，简称FRD，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同，原理图和PCB库的参照整流二极管。二极管的反向电压应小于其击穿电压，以防止击穿现象的发生。东莞快恢复二极管

二极管可用于电源、信号处理等领域，具有普遍的应用。深圳激光二极管尺寸

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 （ 崩溃区 ）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。深圳激光二极管尺寸