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晶闸管模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
晶闸管模块企业商机

晶闸管模块的类型

晶闸管模块通常被称之为功率半导体模块,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

根据封装工艺的不同,晶闸管模块可分为焊接型和压型两种。

晶闸管模块可分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX);普通整流模块(MDC);普通晶闸管、整流混合模块(MFC);快速晶闸管、整流混合模块(MKC\MZC);非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(通常称为电焊机**模块MTG\MDG);三相整流桥输出晶闸管模块(MDS);单相(三相)整流桥模块(MDQ);单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)。 正高电气我们将用稳定的质量,合理的价格,良好的信誉。晶闸管模块哪家好

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    VDRM)的计算:由公式:Ud=考虑两倍的选择余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此选择耐压200V-300V的器件足够。2、器件额定电流IT(AV)的计算:由于该线路相当于两组三相半波整流电路的串联,根据公式:Ie=:Ie=(此值为交流有效值)折算为平均值IT(AV)=Ie/考虑选型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A显然,目前没有如此大电流的模块,应建议客户采用400-500A的平板式可控硅为宜。以上两种线路对器件耐压和通流能力的要求是不一样的。后一种线路对器件耐压要求比前一种线路低一倍,但通流能力要求大两倍。四、使用模块产品注意事项:l电力半导体模块属于温度敏感性器件,使用时必须安装于散热器上。安装前首先用酒精将模块底板和散热器表面擦拭干净,待自然干燥后,在模块底板上均匀涂上(采用滚柱来回滚动涂抹)导热硅脂,导热硅脂刚好能够覆盖整个底板和散热器。安装之后可从散热器上取下模块,检查模块底板整个区域是否完全沾润。l手册中额定电流[IT(AV)、IF(AV)]是在规定散热器、强通风冷(风速6m/s)和额定壳温Tc和纯阻性负载下得出的。若使用条件发生变化(如感性负载)额定电流就会下降。l散热器与模块接触面应平整,散热器的平面度≤(1),确保良好的热传导,电极与铜排连接时。晶闸管模块哪家好正高电气产品质量好,收到广大业主一致好评。

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    压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别?可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。我公司的电力半导体器件有:全系列功率模块(MTC,MFC,MDC,MDQ,MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。

    硒堆的特点是其动作电压和温度有关,温度越低耐压越高;另外是硒堆具有自恢复特性,能多次使用,当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖,又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻,其结构为两个电极,电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶,结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态,只有很小的漏电流,其值小于100μA。当加上电压时,引起了电子雪崩,粒界层迅速变成低阻抗,电流迅速增加,泄漏了能量,了过电压,从而使晶闸管得到保护。浪涌过后,粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压:指压敏电阻流过1mA直流电流时,其两端的电压值。通流容量:是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形冲击电流,每隔5分钟冲击1次,共冲击10次,标称电压变化在-10[[[%]]]以内的比较大冲击电流值来表示。因为正常的压敏电阻粒界层只有一定大小的放电容量和放电次数,标称电压值不仅会随着放电次数增多而下降,而且也随着放电电流幅值的增大而下降,当大到某一电流时,标称电压下降到0,压敏电阻出现穿孔,甚至炸裂;因此必须限定通流容量。正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。

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    漏电流:指加一半标称直流电压时测得的流过压敏电阻的电流。由于压敏电阻的通流容量大,残压低,过电压能力强;平时漏电流小,放电后不会有续流,元件的标称电压等级多,便于用户选择;伏安特性是对称的,可用于交、直流或正负浪涌;因此用途较广。2、过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小,特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,**终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。晶闸管过电流保护方法**常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏;所以不能用来保护晶闸管。正高电气愿与各界朋友携手共进,共创未来!济南大功率晶闸管模块报价

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    所述第三螺栓和第三螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。此外,所述晶闸管单元中,所述压块7上还设置有绝缘套管。其中,所述绝缘套管与对应的压块之间还设置有垫圈。相类似地,所述第二晶闸管单元中,所述第二压块12上还设置有绝缘套管。其中,所述绝缘套管与对应的压块之间还设置有垫圈。为了实现门极铜排的安装,所述外壳1上还设置有门极铜排安装座。综上所述,本发明的立式晶闸管模块通过设置接头、第二接头和第三接头、封装于外壳内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元能够实现电力系统的多路控制,有效保证了电力系统的正常运行。对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式*包含一个**的技术方案。晶闸管模块哪家好

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