广州金属三极管制造

三极管结构，三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。三极的工作速度受到载流子传输时间的影响，需考虑工作频率限制。广州金属三极管制造

三极管放大作用，集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。广州高频三极管批发部分三极管具有耐高温、耐辐射等性，适用于恶劣环境下的应用。

三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。三极管的工作可靠性较高，寿命较长。

半导体三极管的好坏检测：a.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位；b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。三极管在正常使用时要避免超过较大额定功率，以免过热损坏。广州高频三极管批发

三极管的工作稳定性较好，可以在普遍的温度范围内正常工作。广州金属三极管制造

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管，晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。下面一起来了解一下三极管的作用是什么。三极管的作用是什么？1、扩流。在某些情况下，可扩大电流限值或电容容量等。比如：将小功率可控硅与大功率三级管相结合，可以得到大功率可控硅，扩大了较大输出电流值;在长延时电路中，三极管可完成扩大电容容量的作用。2、代换。在一定情况下与某些电子元器件相结合可代换其它器件，完成相应功能。比如：两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发二极管;在某些电路中，三极管可以代换8V的稳压管，代换30V的稳压管等等。广州金属三极管制造