XBR5355A电源管理ICNTC充电管理

特瑞仕是专门用于电源IC的模拟類比CMOS专业集团。 发挥只只有专业厂商才具有的专门知识和灵活性，不间断地瞬时对应开发小型化、轻量化电子机器的需求。独特的超小型封装技术接二连三地带来乃至肉眼难于分辨的小型产品是我们的骄傲。 尽管尺寸极小，但给予世间的影响却无限大。从我们身边的智能手机、数码照相机、电脑等便携式机器、到汽车用导航系统、车载ETC设备、电动车窗等车载用品，及包括机器人在内的产业机械，其产品性能在所有领域都得到了高度评价。 特瑞仕拥有雄厚先进的技术能力，高度的市场影响力，并积极地对应环保要求，今后还将继续于电源IC领域。放电过程中，DS2730 实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。XBR5355A电源管理ICNTC充电管理

XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术，将控制IC与开关管集成于同一芯片，推出世界小的锂电池保护方案XBDL61515JS电源管理IC二合一锂电保护DS6066专门针对空调服，发热服，电热坐垫，电热手套，电热毯，电热腰带等市场应用的智能SOC！

DS2730是一款面向65-100W快充应用的降压型 PD3.0 C+CA双路分离多口快充的电源管理SOC，集成了微处理器、降压型电压变换器、快充协议控制器、高精度 ADC、安全保护模块等功能单元，支持 PD3.0、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC 等主流快充协议。搭载极少的外部元件，即可组成 C+CA 的双路分离的65-100W多口快充应用方案。内置环路补偿电路，支持低功耗模式、支持功率动态分配、直通模式。DS2730 集成了5 路 GPIO，可以用作常规的输入/输出端口驱动 LED 灯、选择前级电源的输出电压以及I2C 通讯接口。

XA6206丝印：54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器的不同点在于，低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。在锁定状态，必须要有充电动作才能使能芯片功能。

CN3086 镍锌电池电压高。与过去的AA电池相比它的电压达到1.6V。比镍氢电池的1.2V要高得多，更适用于传统的使用1.5V电池的电器。它可以使闪光灯回电更快。使数码相机充分用完其电量。而很多镍氢电池用在数码相机上使用了30%的电量就低电关机了。(2010年12月)AA型号的镍锌电池的容量只有1300mAh左右，但是，它的放电能量已经达到8300焦耳以上。的镍氢电池eneloop相比，差别并不大，eneloop放电能量大约在9000焦耳左右。 镍锌电池放电电流强。已经运用在电动汽车上了。一颗AA镍锌电池，在2A电流放电下可以放出超过7200焦耳的能量。镍锌电池更环保，镍和锌都是可回收而且容易回收的金属。镍锌电池由于至2013还是比较新的产品，全球主要由一个美国公司PowerGenix生产，所以价格还是比较高。相信在未来几年其价格可以降到镍氢电池同一水平。关于镍锌电池的安全电压范围，大众根据其充电器满电压1.9v判断，安全电压为1.2v，即1.2v~1.9v。 在实际使用中，有人将电池过充过放导致电池失效或损坏，详情搜索 "镍锌 过放" 看看小白鼠自愿者们的贡献。放电过程中，利用内部的高精度 ADC，实时监测流经采样电阻的电流。XBL6042JSSM电源管理IC上海如韵

单路2~6 串升降压30~100W 移动电源SOC。XBR5355A电源管理ICNTC充电管理

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXBR5355A电源管理ICNTC充电管理