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    使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的所述热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联。在另一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的装置，所述装置包括：两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；其中，所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。在又一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的方法。深圳市硅宇电子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座，2002年成立北京分公司，是专业的IC供货商（只做原装），其中有8位单片机、32位单片机；在该领域已经营多年。芯片，又称微电路、微芯片、IC芯片，是指内含IC芯片的硅片，体积很小。LM358

    生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。晶圆涂膜晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。晶圆光刻显影、蚀刻光刻工艺的基本流程如图1[2]所示。首先是在晶圆（或衬底）表面涂上一层光刻胶并烘干。烘干后的晶圆被传送到光刻机里面。光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上，实现曝光，激发光化学反应。对曝光后的晶圆进行第二次烘烤，即所谓的曝光后烘烤，后烘烤使得光化学反应更充分。后，把显影液喷洒到晶圆表面的光刻胶上，对曝光图形显影。显影后，掩模上的图形就被存留在了光刻胶上。涂胶、烘烤和显影都是在匀胶显影机中完成的，曝光是在光刻机中完成的。匀胶显影机和光刻机一般都是联机作业的，晶圆通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶圆不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响[2]。图1：现代光刻工艺的基本流程和光刻后的检测步骤该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解。SP485EENIC芯片检测：检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理。

    这是**次从国外引进集成电路技术；成立电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了**IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。1985年，块64KDRAM在无锡国营724厂试制成功。1988年，上无十四厂建成了我国条4英寸线。1989年，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出振兴集成电路的发展战略；724厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了**华晶电子集团公司。[5]1990-2000年重点建设期1990年，决定实施“908”工程。1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。1992年，上海飞利浦公司建成了我国条5英寸线。1993年，块256KDRAM在**华晶电子集团公司试制成功。1994年，首钢日电公司建成了我国条6英寸线。1995年，决定继续实施集成电路专项工程（“909”工程），集中建设我国条8英寸生产线。1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。1997年，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建上海华虹NEC电子有限公司，主要承担“909”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。1998年，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，开始了**大陆的Foundry时代。

    本公开一般地涉及液体冷却的集成电路系统、用于冷却集成电路的装置以及用于冷却集成电路的方法。背景技术：现代计算机系统产生大量的热量。尽管所述热量中的一部分热量是由电源及类似物产生，所述热量中的大部分热量是由诸如处理器和存储芯片的集成电路产生的。为了合适地运行，这些计算机系统必须被保持在一定温度范围之内。因此，必须消散或以其他方式移除由这些处理器和存储芯片产生的热量。技术实现要素：在一个方面中，本公开的实施方式提供一种液体冷却的集成电路系统，所述液体冷却的集成电路系统包括：两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，平行地安装在所述系统板上的多个印刷电路板插座，和多个冷却管，每个所述冷却管平行且邻接于所述印刷电路板插座中的对应的一个印刷电路板插座地安装在所述系统板上，所述冷却管中的每个冷却管具有在该冷却管的与所述系统板相对的一侧上粘附至所述冷却管的热接口材料层；以及多个集成电路模块，每个所述集成电路模块包括：印刷电路板，所述印刷电路板具有布置在所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中的连接侧；安装在所述印刷电路板上的一个或多个集成电路，第二热接口材料层。IC这个词听着也非常耳熟，那它表示的是什么呢？

    如-5，-6之类数字表示。工艺结构----如通用数字IC有COMS和TL两种，常用字母C，T来表示。是否**-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否**，如z，R，+等。包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，r**l，tray等。版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为版本。IC命名、封装常识与命名规则温度范围：C=0℃至60℃（商业级）；I=-20℃至85℃（工业级）；E=-40℃至85℃（扩展工业级）；A=-40℃至82℃（航空级）；M=-55℃至125℃（级）封装类型：A—SSOP；BCERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP（300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型(300mil)﹔X—SC-60(**，5P，6P)﹔Y―窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封﹔/W-晶圆。管脚数:A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圆形)﹔W—10(圆形)﹔X—36；Y—8(圆形)﹔Z—10。。IC芯片的DIP等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。PCM1690DCAR

只有自己有标准才能选择适合自己的电源IC产品。LM358

    由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建上海华虹NEC电子有限公司，主要承担“909”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。1998年，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，开始了**大陆的Foundry时代。深圳市硅宇电子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座，2002年成立北京分公司，是专业的IC供货商（只做原装），其中有8位单片机、32位单片机；在该领域已经营多年，资源丰富，目前已发展成为一家专业化、规模化的电子元器件经销商，且得到厂商的大力支持与新老客户的认同，公司工程技术力量强大，可为客户设计指导方案开发。由北京有色金属研究总院半导体材料**工程研究中心承担的我国条8英寸硅单晶抛光生产线建成投产。1999年，上海华虹NEC的条8英寸生产线正式建成投产。[5]2000-2011年发展加速期2000年，中芯**在上海成立，18号文件加大对集成电路的扶持力度。2002年，**款批量投产的通用CPU芯片“龙芯一号”研制成功。2003年，台积电（上海）有限公司落户上海。2004年，**大陆条12英寸线在北京投入生产。2006年，设立“**重大科技专项”；无锡海力士意法半导体正式投产。2008年。LM358