用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表):a.先选量程:R﹡100或R﹡1K档位。b.判别半导体三极管基极:用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极,红表笔分别接半导体三极管另外两各电极,观察指针偏转,若两次的测量阻值都大或是都小,则改脚所接就是基极(两次阻值都小的为NPN型管,两次阻值都大的为PNP型管),若两次测量阻值一大一小,则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量,直到找到基极。三极管简称三极管,三极管较常见的应用是放大电路,但是三极管还有很多其它作用。三极管的基本工作原理是通过输入信号控制输出端之间的电流流动,实现放大或开关控制。中山复合三极管供应商
三极管的分类:a.按材质分: 硅管、锗管。b.按结构分: NPN 、 PNP。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。d. 按功率分:小功率管、中等功率管、大功率管。e.按工作频率分:低频管、高频管、超频管。f.按结构工艺分:合金管、平面管。g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。三极管是一种重要的电子元器件,它应用非常普遍,并且它也是复杂集成电路的基本单元之一,在实际应用中我们少不了和它打交道,掌握它的基本原理和特性我们才能更好的运用它做出性能完整是电子产品。徐州三极管制造商三极管的类型多样,包括NPN型和PNP型,适用于不同的电路设计和应用场景。
三极管的起源,1947年12月23日,巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应,这个器件就叫晶体管。三极管的发展沿革,在晶体管电子流出端的衬底外,沉积一层对应材料,当电子流过时,需要从衬底吸入热量,这就为晶体管主要散热提供一个很好的途径,因为带走的热量会与电流的大小成正比例,业内也称为“电子血液”散热技术。晶体管促进并带来了“固态革新”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业,由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。
对于PNP型三极管,分析方法类似,不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反,因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。估算NPN型三极管的电流放大系数的简单方法:黑表笔接c极,红表笔接e极,在c,b极间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。三极管通过基极控制发射极与集电极之间的电流。
三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时,在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。电流控制:NPN型三极管: 用基极B流向发射极E的电流IB,控制集电极C流向发射极E的电流IC。发射极E电位较低,正常放大时通常VC>VB>VE。PNP型三极管: 用发射极E流向基极B的电流IB,控制发射极E流向集电极C的电流IC。发射极E电位较高,正常放大时通常VC。三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的,如果PN电压为正,则正偏,反之反偏。三极管作为基本器件发挥着不可替代的作用,推动了电子技术的发展。惠州硅管三极管供应
使用时,基极电压变化可控制发射极-集电极间电流的变化。中山复合三极管供应商
基本结构三极管的内部构造非常简单,主要由三部分构成:基区:由pn型材料组成、起导电作用的部分称为本征层;集电极和发射极:分别由n型和p型的两种半导体制成、起开关作用的部分称为功能层或栅栏层;沟道和耗尽区:两个相邻的pn结之间有一条很窄的过渡区域叫做沟道。功能特点1.工作频率高;2.体积小;3.耗能低;4.动态特性好;5.稳定性好;6.噪声小;7.温度系数大;8.寿命长;9.抗辐射能力强;10.可靠性高 结构分类 按照外形可分为三种类型 :1、平面形晶体管;2、矩形晶体管;3、场效应晶体管。中山复合三极管供应商