MOS管现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异，N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。IXFK38N80是一款大功率MOS管，称为HiPerFETPowerMOSFETS。数据手册给定的参数为：击穿电压Vds=800V，工作电流：38A。下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线，它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。IXFK38N80击穿电压电流曲线通常情况下，MOS管耐压越高，导通电阻就越大，使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。G40N60是手边的一款IGBT，手册给出的击穿电压为。600V。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。G40N60击穿电压电流曲线IGBT中由于存在双极性三极管，它是利用少数载流子完成电流导通，所以IGBT的截止时间较长，无法工作在高频电路中。近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题，在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。C2M008012碳化硅MOS管但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题，主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。肖特基二极管制造公司
TO-252封装尺寸图电气特性方面，关于***比较大额定值，六款二极管的反向重复峰值电压均为400v、600v、800v,反向电压均为400v、600v、800v.平均整流输出电流为5A/10A，运行结温均为150℃，储存温度均为-55℃~+150℃。正向不重复峰值电流(浪涌电流)不同。六款直插超快速恢复二极管的产品特性：.低开关损耗.低正向电压.高电流过载能力六款直插超快速恢复二极管的结构：.硅外延平面型.玻璃钝化PN结型六款超快速恢复二极管替代传统直插DO-27封装的应用:通用的整流应用肖特基二极管制造公司根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管.
从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出，它的正向特性与普通二极管是一致的，反向特性，当低于它的击穿电压时，也与普通二极管的特性相类似，处于截止，但是当超过击穿电压时电流会迅速变化，但是电压会保持在一个很小的区间范围内。基本的二极管稳压电路，就是通过与负载反向并联，保持工作电压稳定的。稳压二极管的使用稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的，如果输入的电压没有超过其稳压值，它是不导通的，如果超过它的稳压值，它会击穿导通。一般来讲，输入的电压都是超过其稳压值的，在实际使用时，就需要通过电阻与其串联，去承担高于稳压值的这部分电压。
当三极管满足必要的工作条件后，其工作原理如下：(1)基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。（2）基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因而就没有集电极电流产生。综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
快恢复二极管：有的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动)。肖特基二极管制造公司
稳压二极管在参数选择时，首先需要确定稳压值，这个与负载电路有关。肖特基二极管制造公司
通俗易懂的三极管工作原理*1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。2、晶体三极管的工作原理。其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V)；（b）在C极和E极之间施加反向电压（此电压应比eb间电压较高）；（c）若要取得输出必须施加负载。肖特基二极管制造公司
