二极管是否损坏如何判断:(1)极性的判别,将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。温度对二极管的性能有较大的影响,温度升高时,反向电流将呈指数规律增加,如硅二极管温度每增加8℃,反向电流将约增加一倍;锗二极管温度每增加12℃,反向电流大约增加一倍。另外,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1℃,正向压降VD大约减小2 mV,即具有负的温度系数。整流二极管用于将交流电信号转换为直流电信号,常用于电源和电视机等设备中。东莞半导体二极管参数
普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件,即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯,并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极,N型区的引出线称为负极或阴极,如图1所示。普通二极管有硅管或锗管两种,它们的正向导通电压(PN结电压)差别较大,锗管为0.2~0.3V,硅管为0.6~0.7V。点接触型二极管,点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触,然后在正方向通过很大的瞬时电流,使触丝和半导体牢固地熔接在一起,三价金属与锗结合构成PN结,并做出相应的电极引线,外加管壳密封而成。金属丝为正极,半导体薄片为负极。江门发光二极管厂家供应二极管的可靠性高,寿命长,适用于长时间运行的应用。
二极管的反向特性:当外加反向电压时,所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡,所以二极管中几乎没有电流通过。但是这时的外电场能促使少数载流子漂移,所以少数载流子形成很小的反向电流。由于少数载流子数量有限,只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过PN结而形成反向饱和电流,继续升高反向电压时反向电流几乎不再增大。当反向电压增大到某一值(曲线中的D点)以后,反向电流会突然增大,这种现象叫反向击穿,这时二极管失去单向导电性。所以一般二极管在电路中工作时,其反向电压任何时候都必须小于其反向击穿时的电压。即:当V<0时,二极管处于反向特性区域。
1874年,德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的头一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管还包含了真空管,真空管二极管具有两个电极 ,一个阳极和一个热式阴极。在半导体性能被发现后,二极管成为了世界上头一种半导体器件。现如今的二极管大多是使用硅来生产,锗等其它半导体材料有时也会用到。目前较常见的结构是,一个半导体性能的结芯片通过PN结连接到两个电终端。快恢复二极管在开关电源中应用普遍,具有快速恢复、低反向峰值电流和低反向漏电流等特点。
二极管概述,二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结,关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体:指不含任何掺杂元素的半导体,如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时,就产生一个独特的PN结界面,在界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。在使用二极管时,需注意其正向电压和反向击穿电压的限制,以免损坏器件。肇庆晶体二极管定制价格
二极管的优势在于其体积小、重量轻、功耗低,适用于各种电子设备中。东莞半导体二极管参数
半导体二极管的参数介绍如下:1、反向电流IR:指管子末击穿时的反向电流, 其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V。3、动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,rd与工作电流的大小有关,即:rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。东莞半导体二极管参数