半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。半导体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。工作原理玻璃放电管的工作原理是气体放电。当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时，两极间的间隙将放电击穿，由原来的高阻抗转化为低阻抗，放电时产生电弧，电弧电压大约为30V，导通后放电管两极之间的电压维持在弧电压值水平。应用选型玻璃放电管(防**)既可以用作电源电路的保护，也可以用作信号电路的保护；既可以用作共模保护，也可以用作差模保护。但只能用在浪涌电流不大于3kA的地方。直流击穿电压VS的选择：直流击穿电压VS的最小值应大于可能出现的电源峰值电压或信号电压的1.2倍以上。在有可能出现续流的地方（如电源电路）使用时，必须串联限流电阻或自恢复保险丝，防止玻璃放电管击穿后长时间导通而损坏。接地连线应当具有尽量短的长度接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。吉林半导体放电管品牌
气体放电管和压敏电阻组合构成的抑制电路图4是气体放电管和压敏电阻组合构成的浪涌抑制电路。由于压敏电阳有一致命缺点:具有不稳定的漏电流，性能较差的压敏电阻使用一段时间后，因漏电流变大可能会发热自爆。为解决这一问题在压敏电阻之间串入气体放电管但这又带来了缺点就是反应时间为各器件的反应时间之和。例如压敏电阻的反应时间为25ns，气体放电管的反应时间为100ns，则图4的r2g,r3的反应时间为150ns，为改善反应时间加入r1压敏电阻,这样可使反应时间为25ns。上海半导体放电管厂家供应半导体放电管，就选深圳市凯轩业科技有限公司。
半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点：1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A；Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
半导体放电管是什么?固体放电管又称为半导体放电管，半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。半导体放电管选用标准?1、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。2、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压，如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择BR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。3、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值，如FCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A4、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值，即:IH(系统电压/源阻抗)。5、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVTTIPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。 厂家直销，原装气体放电管就选凯轩业科技。
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气体放电学原理1.碰撞，激发与电离1)碰撞分为弹性碰撞与非弹性碰撞，弹性碰撞只改变电子及分子的运动方向，非弹性碰撞则引起原子的激发与电离2)潘宁效应:PenningEffectA，B分别为不同种类的原子，而且，原子A的激发电位大于原子B的电离电位，当受激原子A与基态原子B碰撞后，使基态原子B电离，受激原子A的能级降低或变为基态原子A，这种过程称为潘宁碰撞或潘宁效应。例如:Ne的亚稳态激发电位是16。53V，大于Ar的电离电位15。69V。3)电离前的管内电流电压变化原理(瞬间变化)当电压逐渐增加时，电流逐渐增加:电压增加到一定程度时，开始有原子被激发，电子能量被转移，此时电流反而减小;当电压继续增加时，电子能量继续增加，电流再次增大。4)激发与电离规则有效碰撞面积越大，激发与电离的几率越大电子的运动速度越大，激发与电离的几率越大;但电子速度到一定程度时，来不及与原子发生能量转移，激发与电离的几率反而减小。当电子速度非常大时，激发与电离的几率再次增加。吉林半导体放电管品牌
