佛山三极管厂家精选

晶体三极管的种类：硅管和锗管（按半导体材料分），锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。三极管由发射极、基极和集电极组成，控制电流从发射极到集电极的放大。佛山三极管厂家精选

什么是三极管？三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件。通常指本征半导体三极管，即BJT管。典型的三极管由三层半导体材料，有助于连接到外部电路并承载电流的端子组成。施加到晶体管的任何一对端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。三极管有哪三极？基极：用于触活晶体管。（名字的来源，较早的点接触晶体管有两个点接触放置在基材上，而这种基材形成了底座连接。）集电极：三极管的正极。（因为收集电荷载体）发射极：三极管的负极。（因为发射电荷载流子）铜陵三极管规格对三极管的性能有定影响，需考虑温度漂移。

光敏（光电）三极管，光敏三极管的基区面积比普通三极管大，而发射区面积较小。光敏三极管具有对光电信号的放大作用，当光电信号从基极（大多数光窗口即为基极）输入时，激发了基区半导体，产生电子和空穴的运动，从而在发射区有空穴的积累，相等于在发射极施加了正向偏压，使光敏三极管有放大作用。通过光敏三极管就得到了随入射光变化而放大的电信号。使用于光探测、光电传感器、自动控制、光耦合、编码器、译码器、激光接受等方面。

当NPN三极管b极输入一个正电压UB，NP之间正偏，由于电场力作用，e极N区负电子（自由电子）被b极P区正电子（空穴）吸引出来涌向到基极P区，因为基极P区做的很薄，所以只有一部分负电子（自由电子）与正电子（空穴）复合产生基极电流IB（基极电流方向与负电子移动方向相反）。而另一部分负电子（自由电子）则在集电结附近聚集，由于电场作用聚集在集电结的负电子穿过（漂移）集电结，到达集电区后与聚集在c极(N型半导体端)正电子碰撞产生集电极电流IC。从此可见，基极b电流越大，集电极c电流越大，即基极b输入一个小的电流，集电极c就可得到一个大的电流。在使用三极管时，需要正确连接其基极、发射极和集电极，以确保其正常工作。

晶体管的分类 晶体管的种类很多，按照不同的标准可分为多种类型：按导电方式分有npn型晶体管和 pnp型晶体管；按结构形式分有双极性管（bjt）和三极型晶体管等；按工作电流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途来分则有普通型和特种型之分：普通型的特点是价格便宜量多且工艺成熟可靠性强应用范围广但随着集成技术的发展它的价格已呈下降趋势 特种型的特点是在特定的条件下其特性曲线发生突变或受环境因素的影响使性能不稳定甚至失效因此这类器件的使用要受到严格的限制 应用于高频小信号处理中的mosfet就属于特种类型的半导体器件.三极管在放大电路中常用于电子放大器、示波器、电视机等设备中。佛山三极管厂家精选

三极管在正常使用时要避免超过较大额定功率，以免过热损坏。佛山三极管厂家精选

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。佛山三极管厂家精选