佛山金属场效应管测量方法

场效应管产品特性：(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。电气特性：场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：贴片场效应管：1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。在选择场效应管时，要考虑其成本效益，根据实际需求选择合适的性价比产品。佛山金属场效应管测量方法

场效应管注意事项：（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，较大漏源电压、较大栅源电压和较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时较好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。半导体场效应管现货直发选型场效应管时需考虑工作频率、功率需求等因素。

MOSFET应用案例解析：开关电源应用从定义上而言，这种应用需要MOSFET定期导通和关断。同时，有数十种拓扑可用于开关电源，这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能(下图)，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量开释给负载。目前，设计职员经常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率，由于频率越高，磁性元件可以更小更轻。开关电源中第二重要的MOSFET参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。

电极，所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应BJT的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被称为体（body）、基（base）、块体（bulk）或衬底（substrate）。这个第四端可以将晶体管调制至运行；在电路设计中，很少让体端发挥大的作用，但是当物理设计一个集成电路的时候，它的存在就是重要的。在图中栅极的长度（length）L，是指源和漏的距离。宽度（width）是指晶体管的范围，在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制较高频率约为5GHz，0.2微米则是约30GHz。场效应管的体积小，适合集成在微型电子设备中。

场效应管主要参数：1、漏源击穿电压。漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能接受的较大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。2、较大耗散功率。较大耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。3、较大漏源电流。较大漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许经过的较大电流。场效应管的工作电流不应超越IDSM。场效应管虽然体积小，但在现代电子技术中的作用不可忽视。源极场效应管尺寸

场效应管分为MOSFET和JFET两种类型，应用普遍。佛山金属场效应管测量方法

对于开关频率小于100kHz的信号一般取（400～500）kHz载波频率较好，变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯，其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路只适合于信号频率小于100kHz的场合，因信号频率相对载波频率太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大，UC3724和UC3725芯片发热温升较高，故100kHz以上开关频率只对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右开关频率小于100kHz的场合，它是一种良好的驱动电路。该电路具有以下特点：单电源工作，控制信号与驱动实现隔离，结构简单尺寸较小，尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。佛山金属场效应管测量方法