高稳定场效应管价位

场效应管应用场景：电路主电源开关，完全切断，低功耗省电。大功率负载供电开关，如：电机，太阳能电池充电\放电，电动车电池充电逆变器SPWM波升压部分功率电路；功放，音响的功率线性放大电路；数字电路中用于电平信号转换；开关电源中，高频大功率状态；用于LED灯的恒流驱动电路；汽车、电力、通信、工业控制、家用电器等。MOS管G、S、D区分以及电流流向。MOS管G、S、D表示什么？G：gate 栅极S：source 源极D：drain 漏极。MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。使用场效应管时需要注意静电放电问题，避免对器件造成损坏。高稳定场效应管价位

场效应管的作用：1、场效应管可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。场效应管的分类：场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。南京场效应管行价场效应管驱动电路简单，只需一个电压信号即可实现控制，降低电路复杂度。

马达控制应用马达控制应用是功率MOSFET大有用武之地的另一个应用领域。典型的半桥式控制电路采用2个MOSFET (全桥式则采用4个)，但这两个MOSFET的关断时间(死区时间)相等。对于这类应用，反向恢复时间(trr) 非常重要。在控制电感式负载(比如马达绕组)时，控制电路把桥式电路中的MOSFET切换到关断状态，此时桥式电路中的另一个开关经过MOSFET中的体二极管临时反向传导电流。于是，电流重新循环，继续为马达供电。当头一个MOSFET再次导通时，另一个MOSFET二极管中存储的电荷必须被移除，通过头一个MOSFET放电，而这是一种能量的损耗，故trr 越短，这种损耗越小。

场效应管注意事项：（1）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。（2）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，较大功率才能达到30W。（3）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。场效应管的表示特性是输入电阻高、输入电容小、开关速度快和功耗低。

众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极较大程度上致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:头一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，然后垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。场效应管具有体积小、重量轻的优点，便于在紧凑的电子设备中使用。上海多晶硅金场效应管

场效应管的功耗较低，可以节省能源。高稳定场效应管价位

对比：场效应管与三极管的各自应用特点：1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。3.场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。4.场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。高稳定场效应管价位