广州发光二极管

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿，另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。二极管正向导通时具有低电阻，反向截止时具有高电阻，具有整流和限流功能。广州发光二极管

稳压二极管和普通二极管结构区别，稳压二极管和普通二极管在结构上也有所不同。稳压二极管一般由三层不同类型的半导体材料组成，即P型半导体、N型半导体和Intrinsic型半导体。这种特殊结构使得稳压二极管在反向电压超过其工作电压时，能够迅速将反向电流增大，同时保持电压恒定。这种特性使得稳压二极管能够在电路中发挥稳定的电压支撑作用。而普通二极管则只有两层半导体材料，即P型半导体和N型半导体。这种简单结构使得普通二极管在正向电压下能够导通，而在反向电压下则截止。这种结构使得普通二极管在开关电路和整流电路中能够发挥良好的性能。深圳阻尼二极管定制价格二极管技术不断发展，涌现出多种类型和应用领域，为电子工程师提供更多选择。

可以通过手动调节晶体表面上的导线，以获得较佳的信号。这个较为麻烦的设备在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代，高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜，晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期，美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器，主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。齐纳二极管是一种高频器件，具有低阻抗、低电压下的快速响应。

下面对二极管伏安特性曲线加以说明：正向特性，二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图中OA（OA′）段。当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V，如图中AB（A′B′）段。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过较大值，否则将烧坏PN结。二极管还可用于电子系统中的保护电路，防止过电压损坏其他元件。中山点接触型二极管市场价格

二极管作为电子元器件的重要一员，其发展和应用推动了电子技术的进步。广州发光二极管

整流二极管： 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。检波二极管： 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。开关二极管： 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。稳压二极管： 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。广州发光二极管