企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

晶体二极管分类如下:1、台面型二极管,PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。2、合金扩散型二极管,它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。二极管在电子设备中常用于信号调节,如调整音频或视频信号的幅度。深圳面接触型二极管厂家直销

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二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。二极管工作原理(正向导电,反向不导电),晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。 当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。广州键型二极管参考价二极管能够实现信号放大、信号检测和波形整形等功能。

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触发二极管,触发二极管又称双向触发二极管,英文名称为Diode AC switch,简写为DIAC,触发二极管实际上是一种电压控制元件,一般的它们都有一个触发电压,当两端电压低于这个触发电压的时候,二极管是开路状态,当电压达到触发电压的时候,二极管瞬间导通,将电压输出。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用,就如同两个稳压二极管反向串连,它的两端不论正反哪个反向达到了稳定电压(既其中一个稳压极管)的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变(在其允许的电流范围内),因此正常情况下触发二极管是双向都不导通的。触发二极管的引脚没有正负极性的区分,原理图的种类比较多,一般都是两个二极管集成在一起的,触发二极管的原理图和PCB库如下图所示。

对单颗LED 的驱动,此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出高电平时,LED 两端等电位,无电流,LED 熄灭;当I/O 口输出低电平时,电流从电源经R1、LED1、I/O 口流进单片机,LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比,而电流大小由R1 阻值决定。此驱动方式可称为灌电流驱动。此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出低电平时,LED 两端等电位,无电流,LED 熄灭;当I/O 口输出高电平时,电流从单片机I/O 经R2、LED2 流到地,LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比,而电流大小由R2 阻值决定。此驱动方式可称为拉电流驱动。二极管的失效可能导致电路功能异常,需要定期检测和更换。

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二极管的伏安特性曲线,半导体二极管较重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时,它呈现的电阻(正向电阻)比较小,通过的电流比较大,当外加反向电压时,它呈现的电阻(反向电阻)很大,通过的电流很小(通常可以忽略不计)。反映二极管的电流随电压变化的关系曲线,叫做二极管的伏安特性。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。正确选择二极管型号和参数对于电路的稳定性和可靠性至关重要。深圳点接触型二极管市场价格

逆向击穿时应避免超过较大额定反向电压,以免损坏器件。深圳面接触型二极管厂家直销

发光二极管,施加正向偏置,可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。激光二极管,当LED产生的光是带宽极窄的同调光(Coherent Light)时,则称为激光二极管。光电二极管,光线射入PN结,P区空穴、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管(Tunnel Diode)、江崎二极管(Esaki Diode)、透纳二极管,由日本人江崎玲于奈于1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用,会出现在一定偏置范围内正向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是较能耐受核辐射的半导体二极管。深圳面接触型二极管厂家直销

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