中山光电二极管检查方法

雪崩二极管，雪崩二极管的英文名称为Avalanche diode，它是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。当反向电压增大到一定数值时，PN结被反向击穿，载流子倍增就像雪崩一样，反向电流突然快速增加。雪崩二极管用于在特定反向偏置电压下经历雪崩击穿，从而阻止电流集中到某一点，通常做为安全阀使用，用于控制系统压力和保护电路系统。雪崩二极管通常在高压电路中使用，对安装的空间要求不高，因此多数是插针的封装形式，原理图、PCB封装和普通二极管相同。使用二极管时，需要注意正向电压不超过其额定值，以避免损坏。中山光电二极管检查方法

稳压二极管，稳压二极管英文名称为Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。在电源电路中经常用到稳压二极管，它与普通二极管在电路中的连接方法不同，负极接电路的高电势，正极接地或低电势点。稳压二极管的种类很多，THT和SMT形式的封装都有，常用到的型号是1N4728、1N4729等,它的原理图和PCB库如下图所示。中山稳压二极管厂家硅二极管和锗二极管的工作温度范围和耐压能力不同，需要根据具体要求选择。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

PIN二极管（P-intrinsic-N Diode），PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管，应用于低功率微波振荡器。二极真空管，气体放电管整流器，针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极，比较低的电压就会开始放电。利用这样的性质来做当作整流器。点接触二极管，用钨之类的金属针状电极与N型半导体的表面接触，此构造的特征是寄生电容非常小。采用于锗质二极管和 耿效应二极管 。矿石收音机中使用的 矿石检波器 （ 日语 ： 鉱石検波器 ） 也是一种点接触二极管。二极管还可用作开关，通过控制正向或反向电压，实现电路的开闭。

Zener二极管：Zener二极管是一种具有特殊稳压特性的二极管，可以在一定范围内稳定地维持电压输出，普遍应用于电源稳压器、电路保护器等领域。总之，二极管在电子领域中应用非常普遍，不同类型的二极管在不同的电路中都有不同的作用和功能。肖特基二极管： 基本原理是在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是开关速度非常快，反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。正确连接二极管时，应注意极性避免反接。深圳面接触型二极管工作原理

二极管常用于整流电路，将交流信号转换为直流信号。中山光电二极管检查方法

整个真空管时代，这种二极管应用于模拟信号，并在消费电子产品（如收音机、电视机、音响系统）的直流供电设备中当做整流器。20世纪40年代，在那些供电设备内的真空管开始被硒整流器所替代，然后在1960年代又被半导体二极管替代。如今，二极管仍然在一些高功率应用场合中使用，由于能够承受瞬变和较好的鲁棒性，使得他们比半导体器件的优势能够显现出来。尤其是音频处理上，真空管基本不存在瞬态互调失真、开关失真及交越失真等影响音质的问题。中山光电二极管检查方法

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