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二极管基本参数
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  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管的正向特性,当外加正向电压时,随着电压U的逐渐增加,电流I也增加。但在开始的一段,由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场,半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层,所以这时的正向电流极小(该段所对应的电压称为死区电压,硅管的死区电压约为0~0.5伏,锗管的死区电压约为0~0.2伏)。当外加电压超过死区电压以后,外电场强于PN结的内电场,多数载流子大量通过阻挡层,使正向电流随电压很快增长。即:当V>0,二极管处于正向特性区域。正向区又分为两段:当0<V<Vth时,正向电流为零,Vth称为死区电压或开启电压。当V>Vth时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。部分特殊用途的二极管,如肖特基二极管,具有低压降和快速恢复的特点。深圳贴片二极管参数

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿,另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。中山单向导电二极管厂商二极管还具有稳压作用,可以稳定电路中的电压波动。

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普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件,即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯,并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极,N型区的引出线称为负极或阴极,如图1所示。普通二极管有硅管或锗管两种,它们的正向导通电压(PN结电压)差别较大,锗管为0.2~0.3V,硅管为0.6~0.7V。点接触型二极管,点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触,然后在正方向通过很大的瞬时电流,使触丝和半导体牢固地熔接在一起,三价金属与锗结合构成PN结,并做出相应的电极引线,外加管壳密封而成。金属丝为正极,半导体薄片为负极。

二极管是否损坏如何判断:反向击穿电压的检测,二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。正向偏置时,二极管内部的PN结被击穿,形成低电阻通道。

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二极管应用:1.续流,在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。2.检波,检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小,工作频率较高,一般都采用锗材料制成。3.阻尼,阻尼二极管多用在高频电压电路中,能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流,一般用在电视机电路中,常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。4.显示,用于VCD、DVD、计算器等显示器上。5.稳压,这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的,在电路中其两端的电压保持基本不变,起到稳定电压的作用。常用的稳压管有2CW55、2CW56等。6.触发,触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅;在电路中作过压保护等用途。二极管还可以用于设计逆变器、振荡器、继电器、光电设备等电子器件。中山贴片二极管参数

二极管在电子电路中扮演着关键角色。深圳贴片二极管参数

二极管概述,二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结,关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体:指不含任何掺杂元素的半导体,如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时,就产生一个独特的PN结界面,在界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。深圳贴片二极管参数

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