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半导体放电管基本参数
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半导体放电管企业商机

放电管的工作原理是气体放电。当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时,两极间的间隙将放电击穿,由原来的绝缘状态转化为导电状态,导通后放电管两极之间的电压维持在放电弧道所决定的残压水平。五极放电管的主要部件和两极、三极放电管基本相同,有较好的放电对称性,可适用于多线路的保护。(常用于通信线路的保护)从暂态过电压开始作用于放电管两端的时刻到管子实际放电时刻之间有一个延迟时间,该时间就称为响应时间。响应时间的组成:一是管子中随机产生初始电子-离子对带电粒子所需要的时间,即统计时延;二是初始带电粒子形成电子崩所需要的时间,即形成时延。为了测得放电管的响应时间,需要用固定波头上升陡度du/dt的电压源加到放电管两端测取响应时间,取多次测量的平均值作为该管子的响应时间。半导体放电管,就选深圳市凯轩业科技,让您满意,欢迎您的来电哦!河北半导体放电管采购

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气体放电学原理1.碰撞,激发与电离1)碰撞分为弹性碰撞与非弹性碰撞,弹性碰撞只改变电子及分子的运动方向,非弹性碰撞则引起原子的激发与电离2)潘宁效应:PenningEffectA,B分别为不同种类的原子,而且,原子A的激发电位大于原子B的电离电位,当受激原子A与基态原子B碰撞后,使基态原子B电离,受激原子A的能级降低或变为基态原子A,这种过程称为潘宁碰撞或潘宁效应。例如:Ne的亚稳态激发电位是16。53V,大于Ar的电离电位15。69V。3)电离前的管内电流电压变化原理(瞬间变化)当电压逐渐增加时,电流逐渐增加:电压增加到一定程度时,开始有原子被激发,电子能量被转移,此时电流反而减小;当电压继续增加时,电子能量继续增加,电流再次增大。4)激发与电离规则有效碰撞面积越大,激发与电离的几率越大电子的运动速度越大,激发与电离的几率越大;但电子速度到一定程度时,来不及与原子发生能量转移,激发与电离的几率反而减小。当电子速度非常大时,激发与电离的几率再次增加。河北半导体放电管采购原装芯片,厂家直销气体放电管欢迎新老客户咨询。

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气体放电管的主要参数1)反应时间指从外加电压超过击穿电压到产生击穿现象的时间,气体放电管反应时间一般在μs数量极。2)功率容量指气体放电管所能承受及散发的比较大能量,其定义为在固定的8×20μs电流波形下,所能承受及散发的电流。3)电容量指在特定的1MHz频率下测得的气体放电管两极间电容量。气体放电管电容量很小,一般为≤1pF。4)直流击穿电压当外施电压以500V/s的速率上升,放电管产生火花时的电压为击穿电压。气体放电管具有多种不同规格的直流击穿电压,其值取决于气体的种类和电极间的距离等因素。5)温度范围其工作温度范围一般在-55℃~+125℃之间。6)绝缘电阻是指在外施50或100V直流电压时测量的气体放电管电阻,一般>1010Ω。

气体放电管的工作原理可以简单地总结为气体放电。当两级间产生足够大的电量,则会造成极间间隙被放电击穿,这时其便由绝缘状态转变成为导电状态,这种现象与短路较为相似。当处于导电状态下时,两极间的电压会较低,一般是在20~50V之间,因此,其能够对后级电路起到很好的保护作用。气体放电管采用陶瓷密闭封装,内部由两个或数个带间隙的金属电极,充以惰性气体(氩气或氖气)构成,基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时,气体放电管便开始放电,并由高阻变成低阻,使电极两端的电压不超过击穿电压。绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大,厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值,约为数千兆欧。

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气体放电管的原***体放电管的工作原理可以简单地总结为气体放电。当两级间产生足够大的电量,则会造成极间间隙被放电击穿,这时其便由绝缘状态转变成为导电状态,这种现象与短路较为相似。当处于导电状态下时,两极间的电压会较低,一般是在20~50V之间,因此其能够对后级电路起到很好的保护作用。气体放电管采用陶瓷密闭封装,内部由两个或数个带间隙的金属电极,充以情性气体(显气或氛气)构成,基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时,气体放电管便开始放电,并由高阻变成低阻,使电极两端的电压不超过击穿电压深圳市凯轩业科技致力于半导体放电管生产研发设计,竭诚为您服务。河北半导体放电管采购

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半导体放电管是什么?固体放电管又称为半导体放电管,半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。半导体放电管选用标准?1、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。2、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压,如在POTS应用中,比较大振铃电压(150V的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择BR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。3、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值,如FCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A4、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值,即:IH(系统电压/源阻抗)。5、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVTTIPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。 河北半导体放电管采购

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