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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

可控硅模块的操控端口与操控线

可控硅模块操控端接口有5脚、9脚和15脚三种办法,别离对应于5芯、9芯、15芯的操控线。选用电压信号的商品只用**脚端口,其他为空脚,选用电流信号的9脚为信号输入,操控线的屏蔽层铜线应焊接到直流电源地线上,联接时注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作业或能够烧坏模块。

可控硅模块操控端口插座和操控线插座上都有编号,请一一对应,不要接反。以上六个端口为模块根柢端口,其它端口为分外端口,只在具有多功用商品中运用,一般调压商品其他脚为空脚。 淄博正高电气有限公司以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。贵州高压可控硅模块报价

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可控硅模块特点:

1 对耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择:它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流:IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。

5 对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 临沂反并联可控硅模块配件淄博正高电气有限公司推行现代化管理制度。

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可控硅鉴别三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。

  阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。

  控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。

  若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。

双向可控硅***阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和***阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当***阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

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实际上,可控硅模块元件的结温不容易直接测量,因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度(即壳温Tc)来控制结温是一种有效的方法。由于PN结的结温Tj和壳温Tc存在着一定的温度梯度,知道了壳温也就知道了结温,而相当高壳温Tc是限定的,由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度(温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置)。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路,分别控制风机的开启或主回路的通断(停机),就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

  需要指出的是,温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度,易受环境、空气对流的影响,与模块和散热器的接触面上的温度Tc,还有一定的差别(大约低几度到十几度),因此其实际控制温度应低于规定的Tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。 淄博正高电气有限公司不断从事技术革新,改进生产工艺,提高技术水平。临沂反并联可控硅模块配件

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相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。


可控硅模块的主要参数有:


(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。


(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。


(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 贵州高压可控硅模块报价

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