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半导体放电管基本参数
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半导体放电管企业商机

放电管呢是一种用于设备输入端(例如:交直流电源以及各类信号电路等)的保护元器件,一般常见的放电管有TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管三类。TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管分别有什么优势?1.半导体放电管也称固态放电管,是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种二端保护元器件,具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强、双向对称以及可靠性高等质量特性。但由于其浪涌吸收能力强,所以有时候会在无源电路中代替TVS管使用。这类放电管一般不能直接用于有源的电路中,可添加限流元件,让它的续流小于维持电流,有贴装式、直插式以及轴向引线式三种。五极放电管的主要部件和两极、三极放电管基本相同,有较好的放电对称性,可适用于多线路的保护。山西半导体放电管优势厂家

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绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大,厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值,约为数千兆欧。绝缘电阻值的降低会导致漏流的增大,有可能产生噪音干扰。放电管的寄生电容很小,极间电容一般在1pF~5pF范围,极间电容在很宽的频率范围内保持近似不变,同型号放电管的极间电容值分散性很小。二、使用选择直流放电电压的选择:从不影响被保护系统正常运行的要求出发,希望放电管的直流放电电压选得高些。但直流放电电压高的管子,冲击放电电压也高;从被保护电子设备的耐受性来说看,希望管子的直流放电电压选得低一些。所以,放电管的支流放电电压应在这两种相互制约的要求之间进行折衷选择。山西半导体放电管优势厂家气体放电管就选深圳市凯轩业科技,竭诚为您服务。

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半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点:1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。

半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。一、定义固体放电管,又称为半导体放电管固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。二、应用范围半导体放电管其应用范围***,可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。三、选用方法选用半导体放电管应注意以下几点:1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。半导体放电管选原装就咨询深圳市凯轩业科技有限公司。

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半导体放电管也称固态放电管是一种PNP元件,当外加电压低于断态电压时,器件处于断开状态;当电压超过它的断态峰值电压时半导体放电管会将瞬态电压制到元件的转折电压内:电压继续增大时,半导体放电管由于负阻效应进入导通状态,这时近乎短路;当外加电压恢复正常,电流能很快下降并低于维持电流,元件自动复位并恢复到高阻抗状态3.TSS特性参数D断态电压VRM与漏电流IRM:断态电压VRM表示半导体过压保护器不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的漏电流IRM。2击穿电压VBR:通过规定的测试电流IR(一般为1mA)时的电压这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。3转折电压VBO与转折电流IBO:当电压升高达到转折电压VBO(对气体放电管深圳市凯轩业科技有限公司,欢迎亲咨询。山西半导体放电管优势厂家

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半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其**是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光山西半导体放电管优势厂家

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