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锂离子电池到1.5V干电池 5号电池到处都是，玩具、家用电器、门禁等等，给我们带来了便携性，但也给我们留下了很多麻烦: -在使用耗电的玩具时，应经常更换电池; -废电池处置过程中的潜在污染危害; -可充电镍金属氢化物等电池，充电速度慢。 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑甚至特斯拉汽车的锂离子电池具有优异的性能。与传统的1.5V电池，锂离子电池有以下特点: -容量相同，电池容量更大; -无召回效果，使用寿命更长;低污染; -充电速度更快; 更低的价格; 随着锂离子电池产业化的深入，其单位容量价格逐渐降低，资金优势现在优于传统的可充电干电池，所以5号电池内置锂离子电池，可以如下图，标准microUSB充电，兼容性好。 但是如何解决锂离子电池充电的问题，如何解决锂离子电池的3.7v和no。5.电池1.5v对充?上海索万电子电源充电与电压转换单片机解决方法，原理框图及实物样例如下。充电容量可达500mA,1.5mhz开关频率，支持小电感，输出电流1.0a以上。集成了高效的锂电池充电管理模块，根据输入电源电压和电池电压自动匹配充电方式。XB8886G电源管理IC芯纳科技

DS5035B单串+无线充方案：单串22.5+无线充。DS5035B是点思针对单节移动电源磁吸无线充市场推出的一颗移动电源SOC。DS5035B单串+无线充方案：单串电池，22.5W功率，支持CA+W输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。XB8886G电源管理IC芯纳科技内置的同步降压变换器，允许 5V~30V 的输入和 3.3V~20V 的输出，输出效率极限 98%。

DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护：电池充电过程中，DS3056B实时监测输入电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭充电通路。过流保护：充电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，触发过流保护，芯片自动关闭充电通路。过温保护：电池充放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时，首先降低功率。如果降低功率仍然无法抑制过温，则自动关闭充电通路。电池过充保护：充电过程中，实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时，自动关闭充电通路。

电源管理IC的主要功能包括以下几个方面：

电源开关：电源管理IC可以控制电源的开关，实现设备的启动和关闭。它可以在设备启动时提供稳定的电源供应，并在设备关闭时断开电源，以节省能源和延长设备寿命。温度管理：电源管理IC还可以监测设备的温度，并根据需要调整电源输出。当设备温度过高时，它可以降低电源输出，以防止设备过热。除了以上功能，电源管理IC还可以提供过电流保护、过热保护、短路保护等功能，以保护设备免受电源故障和其他意外情况的影响。 变更连接在 CCSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以配置应用方案为不同的充电功率。

一个是防止充电器的浪涌，与10uF电容一起做RC滤波，保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器，加这个电阻对产品的可靠性增加，从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用，因为是线性充电，如果电池电压3.3V，这时充电处于快充阶段（设定450mA），如果输入5V，芯片自身将产生（5-3.3）*0.45=765mW的热量，芯片太烫，充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻，该电阻将产生0.225V的压降，将能降低一些芯片的功耗，进而降低芯片温度，使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大，因为如果大，上面产生的压差大，会影响电池电压4V以上时的快速充电，也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。点思半导体秉承着为客户提供好产品的理念，立志成为国内突出的数模混合芯片设计公司。XB3306D电源管理ICNTC充电管理

高耐压 OVP线性充电管理。XB8886G电源管理IC芯纳科技

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB8886G电源管理IC芯纳科技