光电三极管与一般光电二极管不同光电三极管必须在有偏压且要保证光电三极管的发射结处于正向偏置而集电极结处于反向偏压才能工作伏安特性曲线如3所示入射到光电三极管的照度不同其伏安特性曲线稍有不同但随着电压升高输出电流均逐渐达到饱和 由硅光电三极管受温度的影响比硅光电二极管大得多很显然这是由于光电三极管有放大作用另外也可看出随着温度升高暗电流增加很快使输出信噪比变差不利于弱光的检测在进行光信号检测时应考虑到温度对光电器件输出的影响必要时还需要采取适当的恒温或温度补偿措施深圳市凯轩业科技有限公司，光电二三极管信赖之选。湖南使用光电三极管哪种好
在无光照射时，光电三极管处于截止状态，无电信号输出。当光信号照射光电三极管的基极时，光电三极管导通，首先通过光电二极管实现光电转换，再经由三极管实现光电流的放大，从发射极或集电极输出放大后的电信号。光电三极管有两种基本结构，NPN结构与PNP结构。用N型硅材料为衬**作的 NPN结构，称为 3DU型；用P型硅材料为衬**作的称为PNP结构，称为3CU型。光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。北京优势光电三极管平台光电二三极管原装厂家直销选凯轩业电子科技有限公司。
光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件，在p（正）和n（负）层之间，存在一个本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。光电二极管也被称为光电探测器，光电传感器或光探测器。光电二极管工作在反向偏置条件下，即光电二极管的p-侧与电池（或电源）的负极相连，n-侧与电池的正极相连。典型的光电二极管材料是硅、锗、磷化砷化铟镓和砷化铟镓。在内部，光电二极管具有滤光器、内置透镜和表面区域。当光电二极管的表面积增加时，会缩短响应时间。很少有光电二极管看起来像发光二极管(LED)。它有两个终端，如下所示。较小的端子用作阴极，较长的端子用作阳极。+
光电三极管的种类选择由外观上，可以区分为罐封闭型与树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方言之，材料有硅（Si）与锗（Ge），大部份为硅。在晶方构造方面，可分为普通晶体管型与达林顿晶体管型。再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光敏三极管与需要直线性之光敏三极管，但光敏三极管的主流为交换组件，需要直线性时，通常使用光二极管。在实际选用光敏三极管时，应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高，可选用达林顿型光敏三极管;如要求响应时间快，对温度敏感性小，就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子，同时可考虑有基极引出线的光敏三极管，通过偏置取得合适的工作点，提高光电流的放大系数。例如，探测10-3勒克斯的弱光，光敏三极管的暗电流必须小于0.1nA。光电二极管电路主要以三种模式工作，光伏模式、光电导模式以及雪崩二极管模式。
光敏三极管的结构与一般晶体三极管相似，其内部有两个PN结,其发射结与光敏二极管一样具有光敏特性，集电结与普通晶体管一徉可以获得电流增益，因此光敏三极管比光敏二极管具有更高的灵敏度.它在把光信号变为电信号的同时.还放大了信号电流、即具有放大作用。光敏三极管所用材料与光敏二极管材料相同,亦有PNP与NPN两种类型。如图是光敏三极管的原理结构图与电路图符号。光敏二极管和光敏三极管都是红外光电器件。前者由一个PN结组成,后者采用半导体制作工艺制成的具有NPN或PNP结构，两者有光照射时,都会产生光电流；光电三极管也是一种晶体管，它有三个电极。当光照强弱变化时，电极之间的电阻会随之变化。湖南微型光电三极管制造公司
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光伏模式也称为零偏压模式。当光电二极管工作在低频应用和超能级光应用时，这种模式是优先。当闪光照射光电二极管时，会产生电压。产生的电压将具有非常小的动态范围，并且具有非线性特性。当光电二极管在此模式下配置 OP-AMP ，随温度的变化将非常小。在光电导模式下，光电二极管将在反向偏置条件下工作。阴极为正极，阳极为负极。当反向电压增加时，耗尽层的宽度也会增加。因此，响应时间和结电容将减少。相比之下，这种操作模式速度快，并且会产生电子噪音。雪崩二极管在高反向偏置条件下工作，这允许雪崩击穿倍增到每个光电产生的电子-空穴对。该结果是光电二极管的内部增益，它会缓慢增加设备响应。湖南使用光电三极管哪种好
