陶瓷金属化,即在陶瓷表面牢固粘附一层金属薄膜,实现陶瓷与金属焊接的技术。随着科技发展,尤其是5G时代半导体芯片功率提升,对封装散热材料要求更严苛,陶瓷金属化技术愈发重要。陶瓷材料本身具备诸多优势,如低通讯损耗,因其介电常数使信号损耗小;高热导率,能让芯片热量直接传导,散热佳;热膨胀系数与芯片匹配,可...
陶瓷金属化是一种将金属材料与陶瓷材料相结合,以获得特定性能和功能的工艺方法。近年来,随着材料科学技术的不断进步,陶瓷金属化技术得到了广泛应用和深入研究,逐渐成为了材料领域中的一个热门方向。下面,我将从几个方面介绍陶瓷金属化的优势。高温性能优异,陶瓷材料具有优良的高温性能,如高熔点、强度、高硬度等。在高温环境下,陶瓷材料的这些性能更加突出。通过陶瓷金属化技术,可以将金属材料与陶瓷材料相结合,充分发挥两者的优点,使得新材料的综合性能更加优异。例如,高温合金和陶瓷的复合材料可以用于制造高性能的航空发动机和燃气轮机等高温设备。耐腐蚀性能强,许多金属材料在某些介质中容易发生腐蚀,而陶瓷材料具有良好的耐腐蚀性能。通过陶瓷金属化技术,可以将金属材料与陶瓷材料相结合,使得新材料的耐腐蚀性能更加优异。例如,不锈钢和陶瓷的复合材料可以用于制造化工设备、管道等耐腐蚀器件。陶瓷金属化是将陶瓷表面涂覆一层金属材料的工艺。江门真空陶瓷金属化参数
陶瓷金属化是一种将陶瓷表面涂覆一层金属材料的工艺,通过这种工艺可以使陶瓷表面具有金属的外观和性质,如金属的光泽、导电性、导热性等。陶瓷金属化广泛应用于陶瓷制品、建筑材料、电子产品等领域。陶瓷金属化的工艺主要包括以下几个步骤:1.清洗:将陶瓷表面清洗干净,去除表面的油污和杂质,以便金属材料能够牢固地附着在陶瓷表面上。2.打底:在陶瓷表面涂覆一层底漆,以增加金属材料与陶瓷表面的附着力,同时也可以防止金属材料与陶瓷表面直接接触,避免产生化学反应。3.金属化:将金属材料喷涂或电镀在陶瓷表面上,使其与陶瓷表面紧密结合,形成一层金属涂层。常用的金属材料有铜、铬、镍、银、金等。4.烘干:将金属涂层烘干,使其固化并增强附着力。5.抛光:对金属涂层进行抛光处理,以增加其光泽度和美观度。汕尾氧化铝陶瓷金属化价格陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的防热震性能。
陶瓷金属化技术起源于20世纪初期的德国,1935年德国西门子公司Vatter采用陶瓷金属化技术并将产品成功实际应用到真空电子器件中,1956年Mo-Mn法诞生,此法适用于电子工业中的氧化铝陶瓷与金属连接。对于如今,大功率器件逐渐发展,陶瓷基板又因其优良的性能成为当今电子器件基板及封装材料的主流,因此,实现陶瓷与金属之间的可靠连接是推进陶瓷材料应用的关键。目前常用陶瓷基板制作工艺有:(1)直接覆铜法、(2)活性金属钎焊法、(3)直接电镀法。
其他陶瓷金属化方法有:(1)机械连接法、(2)厚膜法、(3)激光活化金属法;(4)化学镀铜金属化;(6)薄膜法。(1)机械连接法是采取合理的结构设计,将AlN基板与金属连接在一起,主要有热套连接和螺栓连接两种。热套连接是利用金属与陶瓷两种材料的热膨胀系数存在较大差异和物质的热胀冷缩来实现连接的。机械连接法工艺简单,可行性好,但它常常会产生应力集中,不适用于高温环境。(2)厚膜法是让金属粉末在高温还原性气氛中,在陶瓷表面上烧结成金属膜。主要有Mo-Mn金属化法和贵金属(Ag、Au、Pd、Pt)厚膜金属化法。涂敷金属可以用丝网印刷的方法,根据金属浆料粘度和丝网网孔尺寸不同,制备的金属线路层厚度一般为10μm-20μm该方法工艺简单,适于自动化和多品种小批量生产,且导电性能好,但结合强度不够高,特别是高温结合强度低,且受温度形象大。(3)激光活化金属法是一种比较新颖的方法,首先利用沉降法在氮化铝陶瓷基板表面快速覆金属,并在室温下通过激光扫描实现金属在氮化铝陶瓷基板表面金属化。形成致密的金属层,且金属层在氮化铝陶瓷表面粒度分布均匀。激光束是将部分能量传递给所镀金属和陶瓷基板,氮化铝陶瓷基板与金属层是通过一层熔融后形成的凝固态物质紧密连接的。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗弯曲性能。
陶瓷材料具有良好的电磁性能,如高绝缘性、高介电常数等。通过陶瓷金属化技术,可以将金属材料与陶瓷材料相结合,使得新材料的电磁性能更加优良。例如,铁氧体和金属的复合材料可以用于制造高频电子器件、电磁波吸收器等电磁器件。陶瓷材料具有轻质、强度的特点,可以有效地减轻制品的重量。通过陶瓷金属化技术,可以将金属材料与陶瓷材料相结合,利用陶瓷材料的优点实现轻量化效果。例如,利用碳纤维增强的陶瓷基复合材料可以用于制造轻量化汽车、飞机等运输工具,显著提高其燃油经济性和机动性能。陶瓷金属化可以使陶瓷表面呈现出金属的光泽和质感。深圳碳化钛陶瓷金属化焊接
陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的导热性能。江门真空陶瓷金属化参数
由于其良好的电性能,氧化铝陶瓷在电气和电子应用中的应用广。作为电子电器的基材,必须涉及表面金属化。因为陶瓷是绝缘材料,所以只有表面金属化。具有导电性。氧化铝陶瓷分为高纯型和普通型两种。高纯氧化铝陶瓷是指Al2O3含量在。由于烧结温度高达1650-1990℃,透射波长为1~6μm,一般用熔融玻璃代替铂坩埚;可作为钠灯管,耐光耐碱金属腐蚀;在电子工业中可用作集成电路基板和高频绝缘材料。普通氧化铝陶瓷按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种。有时Al2O3含量为80%或75%的也归为普通氧化铝陶瓷系列。其中,99氧化铝瓷材料用于制造高温坩埚、耐火炉管和特种耐磨材料,如陶瓷轴承、陶瓷密封件和水阀盘;95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨零件;85瓷因常掺入一些滑石粉,提高电性能和机械强度,可与钼、铌、钽等金属密封,有的用作电真空装置。江门真空陶瓷金属化参数
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