可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极a，阴极K和控制机G所构成的。
可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍：
可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等，根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。 淄博正高电气有限公司真诚希望与您携手、共创辉煌。江苏大功率可控硅模块配件
您知道可控硅模块的导通条件是什么吗？
可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压，只有当正向触发电压时，可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流，即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。
接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值，即保持电流IH。有两种方法：
1.将正极电压降低至数值，或添加反向阳极电压。
2.增加负载电路中的电阻。
以上是可控硅模块的导通状态，希望能帮助您 江苏大功率可控硅模块配件创造价值是我们永远的追求！
相信大家对于可控硅模块并不陌生了，现代在电气行业的不断发展，可控硅模块的使用范围越来越广，但是你对可控硅模块的了解有多少呢，它的主要参数有哪些你知道吗？下面为大家讲解。
可控硅模块的主要参数有：
(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
双向可控硅的检测
用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。 淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进，共创未来！
满足可控硅模块工作的必要条件：
（1）+12V直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。
①可控硅模块输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。
②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。
（2）可控硅模块控制信号：0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。
（3）可控硅模块供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接可控硅模块的输入端子；负载为用电器，接可控硅模块的输出端子。 淄博正高电气有限公司是您可信赖的合作伙伴！日照小功率可控硅模块厂家
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可控硅模块特点：
1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。
2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。
3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。
4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 江苏大功率可控硅模块配件
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