陶瓷电容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍，从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右，人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性，随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展，它迅速发展起来，成为电子设备中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。钽电容的性能优异，是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。无锡高介电常数型电容品牌
具体来说：将电容的两个管脚短路放电，将万用表的黑色表笔接到电解电容的正极。红色探针接负极(对于指针式万用表，使用数字万用表测量时探针是互调的)。正常时，探头应先向低阻方向摆动，然后逐渐回到无穷大。手的摆动幅度越大或返回速度越慢，电容的容量越大；否则，电容器的容量越小。如果指针在中间某处没有变化，说明电容在漏电。如果电阻指示很小或者为零，说明电容已经击穿短路。因为万用表使用的电池电压一般很低，所以使用测量低耐压电容时比较准确，而当电容耐压较高时，虽然测量是正常的，但施加高电压时可能会发生漏电或击穿。徐州贴片电解电容价格铝电解电容，常见的电性能测试包括：电容量，损耗角正切，漏电流，额定工作电压，阻抗等等。
铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷，后续铆接工艺不好时，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，这些刺破的部位漏电流很大，局部过热导致电容产生热击穿。
随着频率的升高，容抗下降、感抗上升，容抗等于感抗并相互抵消时的频率为铝电解电容器的谐振频率，这时的阻抗比较低，只剩下ESR。如果ESR为零，则这时的阻抗也为零；频率继续上升，感抗开始大于容抗，当感抗接近于ESR时，阻抗频率特性开始上升，呈感性，从这个频率开始以上的频率下电容器时间上就是一个电感。由于制造工艺的原因，电容量越大，寄生电感也越大，谐振频率也越低，电容器呈感性的频率也越低。这就要求它在开关稳压电源的工作频段内要有低的等效阻抗，同时，对于电源内部，由于半导体器件开始工作所产生高达数百千赫的尖峰噪声，亦能有良好的滤波作用，一般低频用普通电解电容器在10kHz左右，其阻抗便开始呈现感性，无法满足开关电源使用要求。当铝电解电容在高温或潮热的环境中工作时，阳极引出箔片可能会由于遭受电化学腐蚀而断裂。
在较低频率下，较大的电容可以提供低电阻接地路径。一旦这些电容达到自谐振频率，它们的电容特性就消失了，它们变成了具有电感特性的元件。这就是并联使用多个电容的主要原因，可以在很宽的频率范围内保持较低的交流阻抗。芯片电源要求电源稳定，但实际电源不稳定，高频低频干扰混杂。实际电容与理想电容大相径庭，具有RLC三重性质。10uf的电容对低频干扰的过滤效果很好，但对于高频干扰，电容是感性的，阻抗太大无法有效滤除，所以组合一个0.1uf的电容滤除高频成分。如果你的设计要求不高，没必要完全遵守这个规则。陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。镇江固态电容生产厂家
电容两极间的绝缘材料，介电常数大的(如铁电陶瓷，电解液)适合于制作大容量小体积的电容，但损耗也大。无锡高介电常数型电容品牌
MLCC特征:MLCC具有体积小、电容大、高频使用时损失率低、易于芯片化、适合大批量生产、价格低、稳定性高等特点。在信息产品轻薄短小，表面贴装技术(SMT)应用日益普及的市场环境下，其使用量极其巨大。MLCC工艺流程:MLCC制造工艺：以电子陶瓷材料为介质，将预制好的陶瓷浆料流延制成所需厚度的陶瓷介质膜，然后在介质膜上放置印刷内电极，将印刷有内电极的陶瓷介质膜交替堆叠并热压成多个并联的电容器，然后在高温下一次烧结成不可分割的整体芯片，然后在芯片的端部涂上外部电极浆料，使其与内部电极电连接，形成MLCC的两极。无锡高介电常数型电容品牌
