DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源,但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性,使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容,这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题,进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法,为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值,半导体工艺变得极为复杂,使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法,因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积,不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件,而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案,要么需要CSP(芯片尺寸级封装)型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程,使得制作工程复杂,带来了产生成本上升的课题。正极保护的锂电池保护方案。XM5152ADJ电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动
如韵电子有限公司总部位于上海张江高新产业园嘉定园,并在香港设有研发中心,在深圳设有分公司。2004年创立以来,如韵电子一直采用 Fabless 运作模式 , 拥有强大的研发和销售团队,专注于模拟集成电路的设计、应用和销售,并始终处于技术创新的前沿。如韵产品的生产委托国内的晶圆代工厂、封装厂和测试工厂完成,产品全部实现国产化,并且符合ROHS标准,及各种国际质量体系认证。 公司凭借雄厚的技术实力 , 已经开发出具有自主知识产权的产品类型有:电压检测与复位芯片、充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、低压差线性电压调制芯片、放大器/比较器芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片、模块和MOSFET等。经过市场开拓和发展,在华北、华东、华南、西南等地区拥有庞大的销售网络,几十家专业代理商与我们建立了长期合作关系。XB4146电源管理IC赛芯微xysemi手环手表牙刷成人用品(无线充)电源IC选型参考。
是一款集成降压变化器,锂电池充电管理,电池电量指示的多功能电源管理SOC,为USB充干电池提供完整的电源解决方案。 XS5301 XS5306 XS5502充电电流和充电电压可调,支持多种规格锂电池应用,充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节,更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压,高效率高达93%.待机电流低至3uA以内,支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节 支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调
XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。40V耐压、高PSRR,LDO,完全没凸波。
锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路),IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 充电管理、放电保护芯片,电源正负极反接保护,电池极反接保护,兼容大小3mA-1000mA充电电流。XB5606GJ电源管理IC上海芯龙
锂保PCB应用注意事项-布局。XM5152ADJ电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XM5152ADJ电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当负载突然减小,IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 6、短路保护:在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方...