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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
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  • 凯轩业
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稳压二极管是很多电路中,低电流供电时使用比较多的方案。因为其成本低,只需与电阻组合,就能够实现基本的稳压电路。虽然它的稳压精度无法做到太高,但是在很多要求不高的电路中,还是比较合适的。稳压二极管的稳压原理稳压二极管也叫做齐纳二极管,它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性,但是这种二极管的反向电压超过一定值的时候,会出现击穿的现象,并且这种击穿是软击穿,并不会对二极管造成损坏。稳压二极管的稳压作用,就是利用了它的反向击穿作用。稳压二极管内部也是由PN结构成的,PN结在反向击穿时,电流在一定范围内变化时,电压会基本保持不变。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。海南管联系方式

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三极管,是一种具有三个电极的装置,也称为双极型晶体管、晶体三极管,实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区,从而引出基极、发射机和集电极三个电极,按结构可将其分为NPN型和PNP型。三极管是一种电流控制电流的半导体器件,具有电流放大、用作开关、代换等多种作用,现已***存在于各电路中。TVS的钳位特性TVS属限压型浪涌保护器件,能对过电压起钳位作用,将浪涌电压限制在安全耐压范围内,从而保护后面的负载电路。根据电路的基本理论,按照环路电压分析法,从图2可以看出,电路的输出电压Voutput可由式(1)得到:若设浪涌电压Vg为8kV,Rg为330Ω,RS为Ω,TVS的VBR为6V,则i≈24A,那么由式(1)得Voutput=10V.海南管联系方式晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。原装欢迎来电深圳市凯轩业电子科技有限公司。

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二稳压二极管的检测1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。

电路中,用字母VT表示三极管,图形符号中的箭头表示发射结导通时的电流方向。由于PN结导通时,电流从P区流向N区,因此,NPN型箭头向外,PNP型箭头向里。了解了三极管的结构,那它是怎样放大信号的呢?下面来看三极管的工作特性。俗话说:人往高处走,水往低处流。电流和水流类似,从高电位流向低电位。如果用水流类比电流,那么三极管就类似于一个T形水管,水管的三个口相当于三极管的三个极,对应集电极和基极位置上有控制出水量大小的联动阀门。小阀门靠水流冲击打开,大阀门在联动杆的带动下动作,三个极的电流就相当于水管三个口流过的水流。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。

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让我们带着这个问题开始学习三极管的结构。与二极管类似,三极管也是由PN结构成的,它的内部包含两个PN结,这两个PN结由三片半导体构成。根据这三片半导体排列方式的不同,三极管可以分成NPN型和PNP型。以NPN型为例,三极管的结构特点可以概括为三极、三区、两结。从三片半导体各引出一个引脚,就是三极,中间为基极B,两边分别为集电极C和发射极E。与三个引脚相连的三片半导体即为“三区”,基区、集电区和发射区。三个区结构上各有特点,基区较薄,集电区面积比较大,发射区掺杂浓度比较高。三个区相互结合,在交界处形成两个PN结。基区与集电区交界处称为集电结,基区与发射区交界处称为发射结。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。海南管联系方式

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二极管二极管是常见到的单向导通的半导体器件,通常用于信号的整流、检波、电路钳位等。如果反向电压超过其耐压就会引起器件击穿。如果没有限流二极管则会由于功率上升而烧毁。1N4005硅二极管1N400X系列的二极管是常用在信号整流的二极管。数据手册给定的反向击穿电压分别为:1N4001:50V;1N4002:100V;1N4003:200V;1N4004:400V;1N4005:600V;4N1006:800V;1N4007:1000V下面分别测量手边1N4001,1N4007反向电压-电流曲线。1N4001二极管反向电压超过200V时,反相电流急剧上升。并且随着反相电流的增加,电压出现复杂变化的情况。1N4001反向电压电流曲线1N4007的反向电流电流曲线呈现单调上升的趋势,当反向电压超过1650V的时候,二极管击穿。1N4007反向电压电流曲线根据1N4001,1N4007反向击穿电压测试结果可以看出实际器件耐压都比数据手册数值高。由于半导体器件的参数具有很大的离散性,器件实际耐压比数据手册高是为了保证在较坏的情况下仍然能够满足电路的工作电压。海南管联系方式

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