可控硅又称晶闸管（晶体闸流管），是一种常用的功率型半导体器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分为单向可控硅、双向可控硅、可关断可控硅等。可控硅的特点是具有可控的单向导电性，以小电流控制大电流，以低电压控制高电压。可控硅可以用万用表进行检测。一、检测单向可控硅单向可控硅是PNPN四层结构，形成3个PN结，具有3个外电极：阳极A、阴极K、控制极G。检测时，万用表置于“Rx10Ω”档，黑表笔（表内电池正极）接单向可控硅的控制极G，红表笔（表内电池负极）接单向可控硅的阴极K，这时测量的是单向可控硅PN结的正向电阻，应有较小的阻值。如下图所示。对调两表笔后，测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。万用表黑表笔仍接单向可控硅控制极G，红表笔改接单向可控硅的阳极A，阻值应为无穷大。对调两表笔后，再测，阻值仍应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联，正常情况下其正、反向阻值均为无穷大。二、检测单向晶闸管导通特性万用表置于Rx1Ω档，黑表笔接单向可控硅阳极A，红表笔接单向可控硅阴极K，表针应指示为无穷大。这是用金属导体将控制极G与阳极A短接一下（短接后马上断开）。淄博正高电气提供周到的解决方案，满足客户不同的服务需要。济宁可控硅调压模块批发
也可用于控制电热毯、小功率电暖器等家用电器。电路图温度控制器电路如图工作原理220V交流电压经Cl降压、VD，和VD。整流、C2滤波及VS稳压后，一路作为IC（TL431型三端稳压集成电路）的输入直流电压；另一路经RT、R3和RP分压后，为IC提供控制电压。在被测温度低于RP的设定温度时，NTC502型负温度系数热敏电阻器Rr的电阻值较大，IC的控制电压高于其开启电压，IC导通，使LED点亮，VS受触发而导通，电热器EH通电开始加热。随着温度的不断上升，Rr的电阻值逐渐减小，同时IC的控制电压也随之下降。当被测温度高于设定温度时，IC截止，使LED熄灭，VS关断，EH断电而停止加热。随后温度又开始缓慢下降，当被测温度低于设定温度时，IC又导通，EH又开始通电加热。如此循环不止，将被测温度控制在设定的范围内。可控硅调压器电路图（四）一般书刊介绍的大功率可控硅触发电路都比较复杂，而且有些元件难以购买。笔者只花几元钱制作的触发电路已成功触发100A以上的可控硅模块，用于工业淬火炉上调节380V电压，又装一套用于大功率鼓风机作无级调速用，效果非常好。本电路也可用作调节220V交流供电的用电器。将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联．再将控制板与本触发电路连接。贵州双向可控硅调压模块价格淄博正高电气我们完善的售后服务，让客户买的放心，用的安心。
安装可控硅模块需要满足哪些要求可控硅模块的优点众多，比如体积小、重量轻、安全可靠、运行稳定等等，自从它的出现受到了电力电气行业的大范围使用，可控硅模块在很多应用领域都发挥了非常重要的作用，但是，为了保证可控硅模块的良好使用，安装是非常重要的，下面可控硅模块厂家正高带您了解一下安装可控硅模块需要满足哪些要求？1.工作环境一定要确保干燥、通风、无腐蚀性气体，环境温度范围-25℃--45℃，并且在安装时要注意位置的摆放。2.要用这种接线端头环带把铜线扎紧，浸锡，套上绝缘热缩管，用热风环境或者生活热水来加热收缩，导线截面积可以按照工作电流通过密度＜4A/mm2选取，禁止将铜线作为直接压接在可控硅模块以及电极上。3.把接线端头连接到可控硅模块电极上。然后用螺丝紧固，保持良好的平面压力接触。4.可控硅模块的电极很容易折断。从而，在接线的时候一定要避免重力把电极拉起折断。5.散热器和风机要按照通风要求装配于机箱的合适位置。散热器表面须要平整光洁。在可控硅模块导热地板与散热器表面要均匀涂覆一层导热硅脂。然后用螺钉将模块固定于可控硅模块电极上。
电力调整器其实有着别的名称，比如说可以叫做可控硅也可以叫做调功调压器或者是功率调整器以及还有其他的一些像是调相器以及调功器等等，因为是属于一种无级的电力调整的设备，也是属于在工业的电热的行业中控制的利器，也有一些比较节能节电的环保型的产品。它是一种以晶闸管（电力电子器件）为主要基础的，可以以智能的数字进行相应的控制电路这些为中心的电源功率的控制电器，这样看来又可以称为可控硅调功器，可控硅的调整器以及可控硅的调压器，晶闸管调整器以及晶闸管调压器等等一些别的名称。这些也具有效率比较高、没有机械的噪声以及磨损，响应的速度也是比较快的，体积也比较小，重量同样也是比较轻的，像是这些的还有很多，而且晶闸管的调功器也会通过对电压、电流以及功率进行控制的，这样就可以实现进行很精密的控温。并且可以凭借很先进的数字进行控制，这样也优化了电能的使用的功率，相对于节约电能起到了一定的作用。晶闸管调功器的可以在什么行业进行使用呢？1.首先是电炉行业有退火炉、烘干炉、烧结炉以及淬火炉，还有一些是工业行业上的像是井式电炉、滚动电炉以及台车电炉。公司实力雄厚，产品质量可靠。
设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。过电压保护的第一种方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用压敏电阻或硒堆等非线性元件加以。过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。3.电流上升率、电压上升率的保护（1）电流上升率di/dt的可控硅初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若可控硅开通时电流上升率di/dt过大，会导致PN结击穿，必须限制可控硅的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在可控硅的阳极回路串联入电感。电压上升率dv/dt的加在可控硅上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。为dv/dt的作用，可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。如下图：4.为什么要在可控硅两端并联阻容网络在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。可控硅有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下。淄博正高电气的行业影响力逐年提升。江西三相可控硅调压模块结构
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会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压，由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因，这些过电压值是正常值的2～10倍以上。一般来说，开闭速度越快，过电压越高，则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。直流侧产生的过电压例如，如果切断电路的电感较大。济宁可控硅调压模块批发
