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Xysemi设计团队成员都有多年美国模拟电路设计公司的工作经验,曾设计出多款电源管理类产品。 “电池保护系列产品”是Xysemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池.该系列产品在性能参数，方案面积上与传统方案相比具有颠覆性的优势，本公司在“电池保护系列”产品上拥有大量的国内和国际专利。 Xysemi现有的主导产品系列包括“电池保护系列产品”,“SOC系列产品”,DC-DC 降压系列,DC-DC 升压系列 以及屏背光系列等.XySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。XB8608AFJ电源管理IC拓微电子

CN3086 镍锌电池电压高。与过去的AA电池相比它的电压达到1.6V。比镍氢电池的1.2V要高得多，更适用于传统的使用1.5V电池的电器。它可以使闪光灯回电更快。使数码相机充分用完其电量。而很多镍氢电池用在数码相机上使用了30%的电量就低电关机了。(2010年12月)AA型号的镍锌电池的容量只有1300mAh左右，但是，它的放电能量已经达到8300焦耳以上。的镍氢电池eneloop相比，差别并不大，eneloop放电能量大约在9000焦耳左右。 镍锌电池放电电流强。已经运用在电动汽车上了。一颗AA镍锌电池，在2A电流放电下可以放出超过7200焦耳的能量。镍锌电池更环保，镍和锌都是可回收而且容易回收的金属。镍锌电池由于至2013还是比较新的产品，全球主要由一个美国公司PowerGenix生产，所以价格还是比较高。相信在未来几年其价格可以降到镍氢电池同一水平。关于镍锌电池的安全电压范围，大众根据其充电器满电压1.9v判断，安全电压为1.2v，即1.2v~1.9v。 在实际使用中，有人将电池过充过放导致电池失效或损坏，详情搜索 "镍锌 过放" 看看小白鼠自愿者们的贡献。XB6060M2S电源管理IC芯纳科技锂保PCB应用注意事项-布局。

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。

图3： “二芯合一”的锂电池保护方案。 由于内部两个芯片实际仍来自于不同厂商，外形不能很好匹配，因此导致封装形状各异，很多情况下不能采用通用封装。这种封装体积比较大，又不能节省外置元件，所以这种“二芯合一”的方案实际上并省不了太多空间。在成本方面，虽然两个封装的成本缩减成一个封装的成本，但由于这个封装通常比较大，有的不是通用封装，有的为了缩小封装尺寸，需要用芯片叠加的封装形式，因此与传统的两个芯片的方案相比，其成本优势并不明显。 图4是一种真正的将控制器芯片及开关管芯片集成在同一晶圆的单芯片方案。传统方案原理图1中的开关管是N型管，接在图1中的B-与P-之间，俗称负极保护。 图4中的方案由于技术原因，开关管只能改为P型管，接在B+与P+之间，俗称正极保护。用此芯片完成保护板方案后，在检测保护板时用户需要更换测试设备及理念。此方案虽然减少了一定的封装成本，但芯片成本并没有得到减少，在与量大成熟的传统方案竞争时也没有真正的成本优势。相反其与传统方案不相容的正极保护理念成了其推广过程的巨大障碍。正极保护IC、的锂电池保护方案。

芯纳科技成立于2011年。专注代理赛芯电子XYSEMI和电子元器件的销售服务。提供的产品和方案包括：电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等；广泛应用消费电子：TWS耳机、移动电源、无线充、小家电、智能穿戴等产品、以及工业类电源方案。公司拥有完善的研发和技术支持团队和专业的销售服务团队，凭借专业、务实、创新的文化理念，人性化的管理与完善的流程体系，不断发挥自身优势，整合行业资源，致力于为合作伙伴带来有效增值，为客户的成长与发展竭诚服务，当好供求间之桥梁，谋求产业链的共同发展。赛芯一级代理经销批发赛芯XySemi锂电池保护 XySemi的代理商。XB6040I2S电源管理IC磷酸铁锂充电管理

高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单，调节方便。XB8608AFJ电源管理IC拓微电子

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB8608AFJ电源管理IC拓微电子