STP02电源管理IC赛芯微xysemi

XA6206丝印：54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器的不同点在于，低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。二合一单晶园锂电池保护IC。STP02电源管理IC赛芯微xysemi

XS5502 XS5301 XS5306 XS5802 为什么有3.7V锂电池转1.5V干电池的产品应用呢？ 首先锂电池（三元为例）的标准电压为3.7V（3.6V-4.2V），单纯做成5号、7号标准尺寸是可以，但问题在于电池的电压不能符合常规的1.5V干电池应用。摇控器，玩具，赛车等等各种电子数量使用的启动电压为1.5V，锂电池要做成常规干电池的话就得做降压功能，降至1.5V 。 锂电池有什么特点呢？锂电轻重量轻；锂电池是可以循环使用（根据电芯的不同品质可达400-1000次）不等的，使用成本更低。锂电池的特性更加稳定；锂电相比碱性电池污染小，且回收渠道更加多元化；锂电池可以加电子功能，可以实现多元化的应用：带USB头、电量提醒，充电功能等等；当然缺点也明显：目前锂电池的成本比常规碱性电池更高，售价是碱性的几倍， STP02电源管理IC赛芯微xysemi芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。

高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时， 将自动终止充电循环。当输入电压 （交流适配器或USB电源）被拿掉时， 自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至2uA 以下。也可将 置于停机模式，以而将供电电流降至45uA。 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。

XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器，专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流，并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3.3V、3.6V。XA9107 具有针对温度、负载和线路变化的精确 ±2% 输出调节能力，并且XA9107 还集成了许多功能。热关断和过流限制功能可保护器件免受热过载和电流过载的影响。基于其低静态电流消耗和低于 0.1uA（典型值）的关断模式电流，此外，高电源抑制比使该器件能够很好地适应电池操作系统中通常遇到的低输入电压。使用小型陶瓷电容器（典型值为 1.0uF），稳压器即可保持稳定。单节至四节镍氢电池进行充电管理。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。

上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势，但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端，因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中，还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势，所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价，这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501；近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商，为了降低成本，封装时原本打金线改成打铜线，开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异，但因为成本优势很快抢占了二级市场，也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。XB5606GJ电源管理IC芯纳科技

充电管理、放电保护芯片，电源正负极反接保护，电池极反接保护，兼容大小3mA-1000mA充电电流。STP02电源管理IC赛芯微xysemi

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。STP02电源管理IC赛芯微xysemi