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半导体放电管基本参数
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半导体放电管企业商机

玻璃放电管的工作原理:玻璃放电管由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。中间所充的气体主要是氖或氩,并保持一定压力。当其两端电压低于放电电压时,气体放电管是一个绝缘体。当其两端电压升高到大于放电电压时,产生弧光放电,气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗,使其两端电压迅速降低。玻璃放电管受到瞬态高能量冲击时,它能以10-9秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,通过高达千安量级的浪涌电流。玻璃放电管特性:优点:绝缘电阻高(≥108Ω),极间电容小(≤0.8pF)、放电电流较大(比较大达3kA)、双向对称性、反应速度快,导通后电压较低,此外还有直流击穿电压高(比较高达5000V)、体积小、寿命长。只做原装,半导体放电管,选深圳市凯轩业科技有限公司。江西半导体放电管优势厂家

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气体放电管(GasDischargeTubeGDT)是由密封惰性气体于放电管介质的一个或者一个以上放电间隙组成的器件,是一种开关型过压保护元件。气体放电管通流量大,结电容低,绝缘电阻高,响应速度慢,击穿残压较高,并且有续流。适合应用在信号端口初级,电源端口(与钳位型串联)。气体放电管的主要参数包括:直流击穿电压DCSpark-overVoltage:又称为直流火花放电电压,是指施加缓慢升高的直流电压时,GDT火花放电时的电压,一般电压斜率为100V/s;脉冲击穿电压:MaximumImpulseSpark-overVoltage,亦称比较大冲击火花放电电压,是指施加规定上升率和极性的冲击电压,在放电电流流过GDT之前,其两端子间的电压比较大值,一般电压斜率为1000V/us;标称冲击放电电流:NominalImpulseDischargeCurrent,是指给定波形的冲击电流峰值,一般为8/20μs的脉冲电流波形,为GDT的额定值;耐冲击电流寿命:ImpulseLife,衡量GDT耐受多次冲击电流的能力,在一定程度上反映了GDT的稳定性及可靠性,一般施加10/1000μs的脉冲电流若干次;.河北多功能半导体放电管半导体放电管就选深圳市凯轩业科技,竭诚为您服务。

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主要技术参数及使用选择1.直流放电电压在上升陡度低于100V/s的电压作用下,放电管开始放电的平均电压值称为其直流放电电压。由于放电的分散性,所以,直流放电电压是一个数值范围。2.冲击放电电压在具有规定上升陡度的暂态电压脉冲作用下,放电管开始放电的电压值称为其冲击放电电压。放电管的响应时间或动作时延与电压脉冲的上升陡度有关,对于不同的上升陡度,放电管的冲击放电电压是不同的。3.工频耐受电流放电管通过工频电流5次,使管子的直流放电电压及绝缘电阻无明显变化的最大电流称为其工频耐受电流。4.冲击耐受电流将放电管通过规定波形和规定次数的脉冲电流,使其直流放电电压和绝缘电阻不会发生明显变化的最大值电流峰值称为管子的冲击耐受电流。这一参数是在一定波形和一定通流次数下给出的,制造厂通常给出在8/20us波形下通流10次的冲击耐受电流,也有给出在10/1000us波形下通流300次的冲击耐受电流。

玻璃放电管SPG的优点:1、绝缘电阻很大,没有漏电流或漏电流很小;2、脉冲通流容量(峰值电流)大,分500A、1kA、3kA三种;3、具有双向对称特性;4、级间电容值很小,≤0.8pF;5、响应速度快,<1ns;玻璃放电管SPG的缺点:1、通流容量较陶瓷气体放电管小得多;2、击穿电压只有若干特定值;3、击穿电压分散性较大,为±20%;玻璃放电管SPG在选型时,一般应遵循以下原则:1、直流击穿电压VS的选取直流击穿电压VS的最小值应大于可能出现的比较高电源峰值电压或比较高信号电压的可1.2倍以上。2、冲击放电电流IPP的选取要根据线路上可能出现的比较大浪涌电流或需要防护的比较大浪涌电流选择,但只能用在浪涌电流不大于3kA的地方。3、在有可能出现续流的地方(如电源电路)使用时,必须串联限流电阻或自恢复保险丝,防止玻璃放电管击穿后长时间导通而损坏。半导体放电管原装选深圳市凯轩业科技有限公司。

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浪涌电压抑制器件分类浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。第一种类型为橇棒(crowbar)器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低,因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放,而且也使功耗**降低。另外该类型器件的漏电流小,器件极间电容量小,所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关(CSSPD)等。另一种类型为箝位保护器,即保护器件在击穿后,其两端电压维持在击穿电压上不再上升,以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV),瞬态电压抑制器(TVS)等。3、气体放电管的构造及基本原***体放电管采用陶瓷密闭封装,内部由两个或数个带间隙的金属电极,充以惰性气体(氩气或氖气)构成,基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时,气体放电管便开始放电,并由高阻变成低阻,使电极两端的电压不超过击穿电压半导体放电管就选凯轩业科技,有想法可以来我司咨询!安徽半导体放电管生产厂家

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半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点:1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。江西半导体放电管优势厂家

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