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复合锂电池保护IC 二合一 产品型号：复合锂电池保护IC 复合锂电池保护IC 二合一 目前锂电池的应用，从手机、MP3、MP4、GPS、玩具等便携式设备到需要持续保存数据的煤气表，其市场容量已经达到每月几亿只。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。锂电池保护装置的电路原理如图1所示，主要是由电池保护控制IC和外接放电开关M1以及充电开关M2来实现。当P+/P-端连接充电器，给电池正常充电时，M1、M2均处于导通状态；当控制IC检测到充电异常时，将M2关断终止充电。当P+/P-端连接负载，电池正常放电时，M1、M2均导通；当控制IC检测到放电异常时，将M1关断终止放电。锂电池电保护芯片小封装、低功耗、智能穿戴应用。XB8886I电源管理IC拓微电子

一个是防止充电器的浪涌，与10uF电容一起做RC滤波，保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器，加这个电阻对产品的可靠性增加，从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用，因为是线性充电，如果电池电压3.3V，这时充电处于快充阶段（设定450mA），如果输入5V，芯片自身将产生（5-3.3）*0.45=765mW的热量，芯片太烫，充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻，该电阻将产生0.225V的压降，将能降低一些芯片的功耗，进而降低芯片温度，使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大，因为如果大，上面产生的压差大，会影响电池电压4V以上时的快速充电，也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。XB5352A电源管理IC上海如韵赛芯一级代理经销批发赛芯XySemi锂电池保护 XySemi的代理商。

XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术，将控制IC与开关管集成于同一芯片，推出世界小的锂电池保护方案

成组的磷酸铁锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能，多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU;通过和保护芯片的串行通讯来实现，加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 磷酸铁锂电池还是需要保护板的，成组锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。基于磷酸铁锂电池组均衡充电保护板的设计方案，常用的均衡充电技术包括恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片。

锂离子电池到1.5V干电池 5号电池到处都是，玩具、家用电器、门禁等等，给我们带来了便携性，但也给我们留下了很多麻烦: -在使用耗电的玩具时，应经常更换电池; -废电池处置过程中的潜在污染危害; -可充电镍金属氢化物等电池，充电速度慢。 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑甚至特斯拉汽车的锂离子电池具有优异的性能。与传统的1.5V电池，锂离子电池有以下特点: -容量相同，电池容量更大; -无召回效果，使用寿命更长;低污染; -充电速度更快; 更低的价格; 随着锂离子电池产业化的深入，其单位容量价格逐渐降低，资金优势现在优于传统的可充电干电池，所以5号电池内置锂离子电池，可以如下图，标准microUSB充电，兼容性好。 但是如何解决锂离子电池充电的问题，如何解决锂离子电池的3.7v和no。5.电池1.5v对充?上海索万电子电源充电与电压转换单片机解决方法，原理框图及实物样例如下。充电容量可达500mA,1.5mhz开关频率，支持小电感，输出电流1.0a以上。锂电池保护系列XySemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池。XBM3204BCA电源管理IC两串两节保护

40V耐压、高PSRR,LDO，完全没凸波。XB8886I电源管理IC拓微电子

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB8886I电源管理IC拓微电子

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