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4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。赛芯微一级代理商、锂电池保护IC。XB5307H电源管理IC拓微电子

复合锂电池保护IC 二合一 产品型号：复合锂电池保护IC 复合锂电池保护IC 二合一 目前锂电池的应用，从手机、MP3、MP4、GPS、玩具等便携式设备到需要持续保存数据的煤气表，其市场容量已经达到每月几亿只。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。锂电池保护装置的电路原理如图1所示，主要是由电池保护控制IC和外接放电开关M1以及充电开关M2来实现。当P+/P-端连接充电器，给电池正常充电时，M1、M2均处于导通状态；当控制IC检测到充电异常时，将M2关断终止充电。当P+/P-端连接负载，电池正常放电时，M1、M2均导通；当控制IC检测到放电异常时，将M1关断终止放电。XB4345A电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。

芯纳科技：锂电池充电管理XA4246：丝印：2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印：55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058；丝印：58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057；丝印：57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059；丝印：59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017：丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印：5056 、XA4217丝印：HXN-WL

成组的磷酸铁锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能，多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU;通过和保护芯片的串行通讯来实现，加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 磷酸铁锂电池还是需要保护板的，成组锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。基于磷酸铁锂电池组均衡充电保护板的设计方案，常用的均衡充电技术包括恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。锂电转干电池充放电管理芯片。

BP5301C、BP6501、BP6901、STP01、STP02、STP03、STP04、STP05、STP06、STP07、XB3001A、XB3095I2S、XB3153IS、XB3153ISF、XB3301A、XB3301AJ、XB3302A、XB3303A、XB3303G、XB3306A、XB3306BR、XB3306D、XB3306G、XB3306IFK、XB3306IR、XB3306I2R、XB4087、XB4088、XB4089、XB4008AJ、XB4090I2S、XB4092I2、XB4092J2、XB4092J2S、XB4092M2、XB4092UA2S、XB4093、XB4128A、XB4142、XB4145、XB4146、XB4148、XB4155I2S、XB4155J2S、XB4158、XB4202A、XB4302A、XB4302G、XB4321A、XB4322A、XB4345A、XB4432SKP2、XB4709I2S、XB4709J2S、XB4733A、XB4791TA、XB4851SKP、XB4902、XB4906AJL、XB4908A、XB4908AJ、XB4908AJL、XB4908GJ、XB4908I、XB4908M。耐高压内置MOS锂电保护小封装、低功耗。XB4345A电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动

芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。XB5307H电源管理IC拓微电子

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。XB5307H电源管理IC拓微电子

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