它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极。正高电气公司将以质量的产品,完善的服务与尊敬的用户携手并进!集成智能调压模块批发
750V通态平均电流IT(AV):5A比较大通态电压VT:3V(IT=30A)比较大反向导通电压VTR:<比较大门极触发电压VGT:4V比较大门极触发电流IGT:40mA关断时间toff:μs通态电压临界上升率du/dt:120V/μs通态浪涌电流ITSM:80A利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项:1.检查逆导性选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(参见图3(a)),电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,说明二极管开路。2.测量正向直流转折电压V(BO)按照(b)图接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值。3.检查触发能力实例:使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻,同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR(实际是二极管正向电压VF)。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值。全部数据整理成表1。由此证明被测RCT质量良好。注意事项:(1)S3900MF的VTR<,宜选R×1档测量。(2)若再用读取电流法求出ITR值,还可以绘制反向伏安特性。①一般小功率晶闸管不需加散热片,但应远离发热元件。集成智能调压模块批发正高电气迎接挑战,推陈出新,与广大客户携手并进,共创辉煌!
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下,在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM,是指晶闸管在正向阻断时,允许加在A、K(或T1、T2)极间比较大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT,是指在规定环境温度和标准散热条件下,晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下,晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压,当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM,是指晶闸管在门极G断路时,允许加在A、K极间的比较大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。
所述铜底板3上涂覆有硅凝胶,所述硅凝胶对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11进行包覆固定。从而,所述铜底板3通过所述硅凝胶实现对位于其上的导电片9、第二导电片10、瓷板11进行固定。所述第二晶闸管单元包括:第二压块12、第二门极压接式组件13、第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17。其中,所述第二压块12设置于所述第二门极压接式组件13上,并通过所述第二门极压接式组件13对所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17施加压合作用力,所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17与铜底板3的固定连接,所述铜底板3上涂覆有硅凝胶,所述硅凝胶对所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17进行包覆固定。从而,所述铜底板3通过所述硅凝胶实现对位于其上的第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17进行固定。进一步地,所述接头4包括:螺栓和螺母,所述螺栓和螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。相应地,所述第二接头5包括:第二螺栓和第二螺母,所述第二螺栓和第二螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。所述第三接头6包括:第三螺栓和第三螺母。正高电气以更积极的态度,更新、更好的产品,更质量的服务,迎接挑战。
晶闸管模块的类型
晶闸管模块通常被称之为功率半导体模块,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
根据封装工艺的不同,晶闸管模块可分为焊接型和压型两种。
晶闸管模块可分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX);普通整流模块(MDC);普通晶闸管、整流混合模块(MFC);快速晶闸管、整流混合模块(MKC\MZC);非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(通常称为电焊机**模块MTG\MDG);三相整流桥输出晶闸管模块(MDS);单相(三相)整流桥模块(MDQ);单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)。 正高电气以顾客为本,诚信服务为经营理念。集成智能调压模块批发
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简称过零型)和随机导通型(简称随机型);按输出开关元件分有双向可控硅输出型(普通型)和单向可控硅反并联型(增强型);按安装方式分有印刷线路板上用的针插式(自然冷却,不必带散热器)和固定在金属底板上的装置式(靠散热器冷却);另外输入端①直流恒流控制型(D3),电压为3-36Vdc宽范围,驱动电流为5-15mA;②直流抗干扰控制型(D2),电压为18-30Vdc;③串电阻限流型(D1),电压为4-8Vdc,**于随机型LSR;④交流控制型(A3),电压为90-430Vac宽范围。⑴过零型(Z型)与随机型(P型)LSR的区别由于触发信号方式不同,过零型和随机型之间的区别主要在于负载交流电流导通的条件不同。当输入端施加有效的控制信号时,随机型LSR负载输出端立即导通(速度为微秒级),而过零型LSR则要等到负载电压过零区域(约±15V)时才开启导通。当输入端撤消控制信号后,过零型和随机型LSR均在小于维持电流时关断,这两种类型的关断条件相同。虽然过零型LSR有可能造成比较大半个周期的延时,但却减少了对负载的冲击和产生的射频干扰,在负载上可以得到一个完整的正弦波形,成为理想的开关器件,在“单刀单掷”的开关场合中应用**为。随机型LSR的特点是反应速度快。集成智能调压模块批发
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