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特瑞仕是专门用于电源IC的模拟類比CMOS专业集团。 发挥只只有专业厂商才具有的专门知识和灵活性，不间断地瞬时对应开发小型化、轻量化电子机器的需求。独特的超小型封装技术接二连三地带来乃至肉眼难于分辨的小型产品是我们的骄傲。 尽管尺寸极小，但给予世间的影响却无限大。从我们身边的智能手机、数码照相机、电脑等便携式机器、到汽车用导航系统、车载ETC设备、电动车窗等车载用品，及包括机器人在内的产业机械，其产品性能在所有领域都得到了高度评价。 特瑞仕拥有雄厚先进的技术能力，高度的市场影响力，并积极地对应环保要求，今后还将继续于电源IC领域。适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!XB5153J2S电源管理IC上海如韵

磷酸铁锂电池的充放电反应是在LiFePO4和FePO4两相之间进行。在充电过程中，LiFePO4逐渐脱离出锂离子形成FePO4，在放电过程中，锂离子嵌入FePO4形成LiFePO4。 电池充电时，锂离子从磷酸铁锂晶体迁移到晶体表面，在电场力的作用下，进入电解液，然后穿过隔膜，再经电解液迁移到石墨晶体的表面，而后嵌入石墨晶格中。 与此同时，电子经导电体流向正极的铝箔集电极，经极耳、电池正极柱、外电路、负极极柱、负极极耳流向电池负极的铜箔集流体，再经导电体流到石墨负极，使负极的电荷达至平衡。锂离子从磷酸铁锂脱嵌后，磷酸铁锂转化成磷酸铁。 电池放电时，锂离子从石墨晶体中脱嵌出来，进入电解液，然后穿过隔膜，经电解液迁移到磷酸铁锂晶体的表面，然后重新嵌入到磷酸铁锂的晶格内。 与此同时，电子经导电体流向负极的铜箔集电极，经极耳、电池负极柱、外电路、正极极柱、正极极耳流向电池正极的铝箔集流体，再经导电体流到磷酸铁锂正极，使正极的电荷达至平衡。锂离子嵌入到磷酸铁晶体后，磷酸铁转化为磷酸铁锂。 XB5351A0电源管理IC磷酸铁锂充电管理锂电池电保护芯片小封装、低功耗、智能穿戴应用。

图3： “二芯合一”的锂电池保护方案。 由于内部两个芯片实际仍来自于不同厂商，外形不能很好匹配，因此导致封装形状各异，很多情况下不能采用通用封装。这种封装体积比较大，又不能节省外置元件，所以这种“二芯合一”的方案实际上并省不了太多空间。在成本方面，虽然两个封装的成本缩减成一个封装的成本，但由于这个封装通常比较大，有的不是通用封装，有的为了缩小封装尺寸，需要用芯片叠加的封装形式，因此与传统的两个芯片的方案相比，其成本优势并不明显。 图4是一种真正的将控制器芯片及开关管芯片集成在同一晶圆的单芯片方案。传统方案原理图1中的开关管是N型管，接在图1中的B-与P-之间，俗称负极保护。 图4中的方案由于技术原因，开关管只能改为P型管，接在B+与P+之间，俗称正极保护。用此芯片完成保护板方案后，在检测保护板时用户需要更换测试设备及理念。此方案虽然减少了一定的封装成本，但芯片成本并没有得到减少，在与量大成熟的传统方案竞争时也没有真正的成本优势。相反其与传统方案不相容的正极保护理念成了其推广过程的巨大障碍。

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。太阳能充电管理方案芯片。XBM3214DGB电源管理IC拓微电子

XC3098(磷酸铁锂充电芯片）。XB5153J2S电源管理IC上海如韵

上海芯龙半导体技术股份有限公司是一家专注于高性能模拟集成电路研发、设计与销售的公司，结合创新的设计技术和产业链的制造优势，搭建了产业化的“芯片设计+晶圆制造+封装测试”全流程平台，自主研发多项技术并获得国内外近百项发明专利授权，为客户提供、高可靠性的产品及服务。 公司产品主要包括电源管理、信号链、音频功放、MEMS传感器等，广泛应用于汽车电子、工业控制、通讯设备、消费电子、家用电器、安防监控及仪器仪表等领域。 公司始终秉承“专业、专注、务实、创新、高效、沟通”的经营理念，致力成为世界的模拟集成电路服务商。XB5153J2S电源管理IC上海如韵

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