真空陶瓷金属化赋予陶瓷非凡的导电性能,为电子元件发展注入强大动力。在功率半导体模块中,陶瓷基板承载芯片并实现电气连接,金属化后的陶瓷表面形成连续、低电阻的导电通路。金属原子有序排列,电子可顺畅迁移,减少了传输过程中的能量损耗与发热现象。对比未金属化陶瓷,其电阻可降低几个数量级,满足高功率、大电流工况...
陶瓷金属化技术起源于20世纪初期的德国,1935年德国西门子公司Vatter首次采用陶瓷金属化技术并将产品成功实际应用到真空电子器件中,1956年Mo-Mn法诞生,此法适用于电子工业中的氧化铝陶瓷与金属连接。对于如今,大功率器件逐渐发展,陶瓷基板又因其优良的性能成为当今电子器件基板及封装材料的主流,因此,实现陶瓷与金属之间的可靠连接是推进陶瓷材料应用的关键。目前常用陶瓷基板制作工艺有:(1)直接覆铜法、(2)活性金属钎焊法、(3)直接电镀法。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的耐高温性能。梅州真空陶瓷金属化焊接
陶瓷金属化产品的陶瓷材料有:96白色氧化铝陶瓷、93黑色氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷,成型方法为流延成型。类型主要是金属化陶瓷基片,也可成为金属化陶瓷基板。金属化方法有薄膜法、厚膜法和共烧法。产品尺寸精密,翘曲小;金属和陶瓷接合力强;金属和陶瓷接合处密实,散热性更好。可用于LED散热基板,陶瓷封装,电子电路基板等。陶瓷在金属化与封接之前,应按照一定的要求将已烧结好的瓷片进行相关处理,以达到周边无毛刺、无凸起,瓷片光滑、洁净的要求。在金属化与封接之后,要求瓷片沿厚度的周边无银层点。中山碳化钛陶瓷金属化种类陶瓷金属化可以提高陶瓷的导电性、耐腐蚀性和耐磨性。
氮化铝陶瓷金属化之物理的气相沉积法,物理的气相沉积法是将金属材料加热至高温后蒸发成气态,然后通过气相沉积在氮化铝陶瓷表面形成一层金属涂层的方法。该方法具有沉积速度快、涂层质量好、涂层厚度可控等优点,可以实现对氮化铝陶瓷表面的金属化处理。但是,该方法需要使用高温,容易对氮化铝陶瓷造成热应力,同时需要控制沉积条件,否则容易出现沉积不均匀、质量不稳定等问题。如果有陶瓷金属化的需要,欢迎联系我们公司,我们在这一块是专业的。
陶瓷金属化是一种将陶瓷表面涂覆金属层的工艺,可以提高陶瓷的导电性、导热性、耐磨性和耐腐蚀性等性能。但是,陶瓷金属化工艺也存在一些难点,下面就来介绍一下。陶瓷与金属的热膨胀系数不同,陶瓷和金属的热膨胀系数不同,当涂覆金属层后,温度变化会导致陶瓷和金属层之间的应力产生变化,从而导致陶瓷金属化层的开裂和剥落。为了解决这个问题,可以采用中间层的方法,即在陶瓷和金属层之间添加一层中间层,中间层的热膨胀系数应该与陶瓷和金属层的热膨胀系数相近,以减小应力的产生。金属层与陶瓷的结合力不强,陶瓷和金属的结合力不强,容易出现剥落现象。为了提高金属层与陶瓷的结合力,可以采用化学方法或物理方法进行处理。化学方法包括表面处理和化学镀层,物理方法包括喷涂、电镀、热喷涂等。陶瓷表面粗糙度高,陶瓷表面粗糙度高,容易导致金属层的不均匀分布和陶瓷金属化层的质量不稳定。为了解决这个问题,可以采用磨削、抛光等方法对陶瓷表面进行处理,使其表面粗糙度降低,从而提高陶瓷金属化层的质量。陶瓷材料的选择,陶瓷材料的选择对陶瓷金属化的质量和效果有很大的影响。不同的陶瓷材料具有不同的化学成分和物理性质,对金属层的沉积和结合力有很大的影响。 陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗热震性能。
其他陶瓷金属化方法有:(1)机械连接法、(2)厚膜法、(3)激光活化金属法;(4)化学镀铜金属化;(6)薄膜法。(1)机械连接法是采取合理的结构设计,将AlN基板与金属连接在一起,主要有热套连接和螺栓连接两种。热套连接是利用金属与陶瓷两种材料的热膨胀系数存在较大差异和物质的热胀冷缩来实现连接的。机械连接法工艺简单,可行性好,但它常常会产生应力集中,不适用于高温环境。(2)厚膜法是让金属粉末在高温还原性气氛中,在陶瓷表面上烧结成金属膜。主要有Mo-Mn金属化法和贵金属(Ag、Au、Pd、Pt)厚膜金属化法。涂敷金属可以用丝网印刷的方法,根据金属浆料粘度和丝网网孔尺寸不同,制备的金属线路层厚度一般为10μm-20μm该方法工艺简单,适于自动化和多品种小批量生产,且导电性能好,但结合强度不够高,特别是高温结合强度低,且受温度形象大。(3)激光活化金属法是一种比较新颖的方法,首先利用沉降法在氮化铝陶瓷基板表面快速覆金属,并在室温下通过激光扫描实现金属在氮化铝陶瓷基板表面金属化。形成致密的金属层,且金属层在氮化铝陶瓷表面粒度分布均匀。激光束是将部分能量传递给所镀金属和陶瓷基板,氮化铝陶瓷基板与金属层是通过一层熔融后形成的凝固态物质紧密连接的。 陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的防尘性能。河源碳化钛陶瓷金属化参数
陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的防紫外线性能。梅州真空陶瓷金属化焊接
金属材料具有良好的塑性、延展性、导电性和导热性,而陶瓷材料具有耐高温、耐磨、耐腐蚀、高硬度和高绝缘性,它们各有的应用范围。陶瓷金属化由美国化学家CharlesW.Wood和AlbertD.Wilson在20世纪初发明,将两种材料结合起来,以实现互补的性能。他们于1903年开始研究将金属涂层应用于陶瓷表面的方法,并于1905年获得了该技术的专。该技术随后被用于工业生产,以制造具有金属外观和性能的陶瓷产品,例如耐热陶瓷和电子设备。陶瓷金属化是指将一层薄薄的金属膜牢固地粘附在陶瓷表面,以实现陶瓷与金属之间的焊接。陶瓷金属化工艺多种多样,包括钼锰法、镀金法、镀铜法、镀锡法、镀镍法、LAP法(激光辅助电镀)。常见的金属化陶瓷包括氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷和氮化硅陶瓷。由于不同陶瓷材料的表面结构不同,不同的金属化工艺适用于不同的陶瓷材料的金属化。梅州真空陶瓷金属化焊接
真空陶瓷金属化赋予陶瓷非凡的导电性能,为电子元件发展注入强大动力。在功率半导体模块中,陶瓷基板承载芯片并实现电气连接,金属化后的陶瓷表面形成连续、低电阻的导电通路。金属原子有序排列,电子可顺畅迁移,减少了传输过程中的能量损耗与发热现象。对比未金属化陶瓷,其电阻可降低几个数量级,满足高功率、大电流工况...
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