接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏,工程师可以使用万用表选电阻R×1挡,然后将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 创造价值是我们永远的追求!济宁高压可控硅模块生产厂家
可控硅模块选购注意事项:
(1)注明您需要的产品的型号、结构(螺栓、凹台、凸台)、配置散热器型号。
(2)注明您关注的参数要求。
(3)选择电流电压时要留有适当的余量;
可控硅模块使用注意事项:
(1)线路中须有过压过流保护措施,串并联使用时必须有均流措施。
(2)用万用表简单判断器件是否损坏: 门阴极间电阻,应有十几或几十Ω,否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻,应大于1MΩ,(整流管正向除外),电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良,电阻近零时表明器件已击穿。发现有短路或断路现象时,应立即更换。
(3)严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。
(4)电流为5A以上的可控硅模块要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅模块管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。
(5)按规定对主电路中的可控硅模块采用过压及过流保护装置。
(6)要防止可控硅模块控制极的正向过载和反向击穿。
济宁高压可控硅模块生产厂家淄博正高电气有限公司倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。可控硅模块在电子行业中应用以及发展比较广,它已经应用到了很多电子设备中,不同设备中使用的可控硅模块类型也是不同的,下面可控硅模块厂家就来来您了解一下。
1.选择可控硅模块的类型可控硅模块有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通可控硅模块。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向可控硅模块。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断可控硅模块。
若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG可控硅模块。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导可控硅模块。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控可控硅模块。
可控硅模块散热条件的好坏直接关系到商品的运用寿数和短时过载才华,温度越低模块的输出电流越大,所以在运用中有必要装备散热器和风机,主张选用带有过热维护功用的商品,有水冷散热条件的优先挑选水冷散热。咱们经过严肃测算,断定了不一样类型的商品所大概装备的散热器类型,推荐选用厂家配套的散热器和风机,用户自备时按以下准则挑选:
1、轴流风机的风速应大于6m/s ;
2、有必要能确保模块正常作业时散热底板温度不大于80℃;
3、模块负载较轻时,可减小散热器的大小或选用天然冷却;
4、选用天然办法冷却时散热器周围的空气能结束对流并恰当增大散热器面积;
5、悉数紧固模块的螺钉有必要拧紧,压线端子联接强健,以削减次生热量的发生,模块底板和散热器之间有必要要涂敷一层导热硅脂或垫上一片底板大小的导热垫,以抵达良好散热作用。 淄博正高电气有限公司以创百年企业、树百年品牌为使命,倾力为客户创造更大利益!
双向可控硅***阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和***阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当***阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
淄博正高电气有限公司,生产各类规格型号的晶闸管智能模块、固态继电器模块、桥臂模块、整流桥模块、各类控制柜和配套模块使用的触发板、控制板等产品,真诚期待与各公司和采购人员的合作,提供价格低廉、质量可靠的电子元件。 淄博正高电气有限公司是您可信赖的合作伙伴!云南快恢复可控硅模块配件
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可控硅模块特点:
1 对耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。
2 对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。
3 对通态电压VTM的选择:它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。
4 对维持电流:IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。
5 对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 济宁高压可控硅模块生产厂家
淄博正高电气有限公司是一家有着先进的发展理念,先进的管理经验,在发展过程中不断完善自己,要求自己,不断创新,时刻准备着迎接更多挑战的活力公司,在山东省等地区的电子元器件中汇聚了大量的人脉以及**,在业界也收获了很多良好的评价,这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果,这些评价对我们而言是比较好的前进动力,也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神,努力把公司发展战略推向一个新高度,在全体员工共同努力之下,全力拼搏将共同淄博正高电气供应和您一起携手走向更好的未来,创造更有价值的产品,我们将以更好的状态,更认真的态度,更饱满的精力去创造,去拼搏,去努力,让我们一起更好更快的成长!