单向可控硅的检测
万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 淄博正高电气有限公司真诚希望与您携手、共创辉煌。四川高压可控硅模块哪家好
可控硅模块的分类可控硅模块从X芯片上看，可以分为可控模块和整流模块两大类，从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX）、普通整流管模块（MDC）、普通晶闸管、整流管混合模块（MFC）、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC）、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG）、三相整流桥输出可控硅模块（MDS）、单相（三相）整流桥模块（MDQ）、单相半控桥（三相全控桥）模块（MTS）以及肖特基模块等。四川高压可控硅模块哪家好淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进，共创未来！
过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。
可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。
过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。
选择可控硅模块的主要参数可控硅模块的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选可控硅模块应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的较大工作电压和较大工作电流1.5~2倍。
可控硅模块的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响可控硅模块的正常工作。
上就是可控硅模块在不同设备中的种类选择，希望对您有所帮助。 淄博正高电气有限公司得到市场的一致认可。
可控硅模块特点：
1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。
2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。
3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。
4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 诚信是企业生存和发展的根本。河南大功率可控硅模块配件
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双向可控硅第 一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第 一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第 一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
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